[发明专利]一种多效应检测集成气体传感器制造方法的制造方法、传感器及其应用

权利要求书

1.一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，具体步骤为：

a、利用平面薄膜工艺技术，在敏感基底上分别制作半导体敏感单元的金属加热电极和信号电极，以及催化敏感单元及催化补偿单元的金属加热信号电极；

b、利用微加工技术，将敏感基底加工成带有镂空隔热槽的芯片基板；

c、利用微滴涂工艺技术，将半导体敏感材料和催化载体材料分别涂布在各敏感单元上；

d、放置在烧结炉中烧结处理；

e、利用微滴涂工艺技术，将催化剂涂布在催化敏感单元的一个敏感桥臂的载体上；

f、放置在烧结炉中热处理，制作好集成气体传感器芯片；

g、利用焊接技术，将敏感芯片电极用金属引线引出到专用管座上，封上带有通气孔的专用管帽，完成气体传感器的制作；

所述步骤a中，使用的敏感基底是单晶硅、多晶硅、碳化硅、三氧化二铝、石英或高温玻璃；

所述步骤c中，半导体敏感材料是二氧化锡、三氧化二铁、氧化铟或三氧化钨材料，催化载体材料是纳米级三氧化二铝材料、二氧化锆、二氧化钛、二氧化锡或氧化镁材料。

2.根据权利要求1所述的一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，所述步骤a中，加热电极材料是高纯铂材料、镍铬合金或铂钨合金材料；信号电极材料是高纯铂材料、高纯金、镍铬合金或铂钨合金材料；加热信号电极材料为高纯铂材料。

3.根据权利要求1所述的一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，所述步骤d中，烧结温度为600～700℃。

4.根据权利要求1所述的一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，所述步骤f中，烧结温度为500～600℃。

5.根据权利要求1所述的一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，所述步骤a中，半导体敏感单元、催化补偿单元及催化敏感单元由左至右顺次排布；所述步骤b中，隔热槽分为第一隔热槽和第二隔热槽，两个第一隔热槽分列在敏感基座两侧；半导体敏感单元与催化补偿单元之间以及催化补偿单元与催化敏感单元之间均设置有一个第二隔热槽。

6.根据权利要求1所述的一种多效应检测集成气体传感器制造方法，其特征在于，所述步骤a中，催化补偿单元、半导体敏感单元及催化敏感单元由左至右顺次排布；所述步骤b中，隔热槽分为第一隔热槽和第二隔热槽，两个第一隔热槽分列在敏感基座两侧；催化补偿单元与半导体敏感单元之间以及半导体敏感单元与催化敏感单元之间均设置有一个第二隔热槽。

7.基于权利要求1-6任一所述的一种多效应检测集成气体传感器制造方法制得的多效应检测集成气体传感器。

8.基于权利要求7所述的多效应检测集成气体传感器制造方法在易燃易爆性气体检测中的应用。