[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810501562.2 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108550675B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 魏柏林;魏晓骏;郭炳磊;林凡 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 空穴 能级 电子阻挡层 依次层叠 源层 发光二极管外延 复合结构 氮化硼 缓冲层 衬底 导带 价带 制备 半导体技术领域 阻挡 氮化铟镓 电子跃迁 发光效率 外延片 禁带 升高 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述缓冲层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子阻挡层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用氮化硼铝，所述第二子层的材料采用氮化铟镓；所述电子阻挡层的厚度为10nm～15nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的数量为2个～4个。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，每个所述复合结构还包括第三子层，所述第三子层设置在所述第一子层和所述第二子层之间，所述第三子层的材料采用氮化铝镓。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层的材料采用AlyGa1-yN，0.2≤y≤0.4。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的材料采用BxAl1-xN，0.1≤x≤0.2。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的材料采用InzGa1-zN，0.02≤z≤0.2。
7.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层；
其中，所述电子阻挡层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用氮化硼铝，所述第二子层的材料采用氮化铟镓；所述电子阻挡层的厚度为10nm～15nm。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的生长温度为900℃～1200℃。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的生长压力为100torr～300torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810501562.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
