[发明专利]颗粒物检测装置及颗粒物检测方法在审

专利信息
申请号: 201810499262.5 申请日: 2018-05-23
公开(公告)号: CN108663293A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 董凯;颜元;李冠男;王孝进 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G01N15/02 分类号: G01N15/02;G01N15/06
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 董琳;陈丽丽
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 颗粒物检测装置 颗粒物分析仪 颗粒物检测 半导体处理腔室 采样管道 第一端 颗粒物 连通 半导体制造技术 半导体处理 半导体制程 准确度 气体传输 腔室内部 实时检测 相对设置 排气口 分析
【说明书】:

发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种颗粒物检测装置及颗粒物检测方法。所述颗粒物检测装置,包括:颗粒物分析仪,用于分析气体中的颗粒物信息;采样管道,包括相对设置的第一端和第二端;所述第一端用于与半导体处理腔室的排气口连通,所述第二端用于与所述颗粒物分析仪连通;所述采样管道用于将所述半导体处理腔室中的气体传输至所述颗粒物分析仪。本发明实现了对半导体处理腔室内部颗粒物情况的实时检测,提高了颗粒物检测的效率和准确度,确保了半导体制程持续、稳定的进行。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种颗粒物检测装置及颗粒物检测方法。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展,半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年,平面型闪存的发展遇到了各种挑战:物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下,为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本,各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生,例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中,3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点,将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念,生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器,已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

在3D NAND存储器等半导体器件的制造过程中,经常需要对半导体处理设备内部的颗粒物(Particle,PA)情况进行检测,以确保半导体制程持续、稳定的进行。但是,现有的颗粒物检测方法,尤其是对于需要采用低压或真空环境进行处理工序的半导体设备而言,其内部环境颗粒物情况的检测方法操作都较为繁琐,检测效率也较低。从而导致在半导体制程进行过程中,颗粒物故障事件(PADefect Case)出现的频率颇高,严重影响了半导体器件的生产效率以及成品率。

因此,如何高效、准确的对半导体生产设备内部的颗粒物情况进行检测,确保半导体制程持续、稳定的进行,是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种颗粒物检测装置及颗粒物检测方法,用以解决现有技术中不能高效、准确的对半导体生产设备内部的颗粒物情况进行实时检测的问题,以确保半导体制程持续、稳定的进行。

为了解决上述问题,本发明提供了一种颗粒物检测装置,包括:

颗粒物分析仪,用于分析气体中的颗粒物信息;

采样管道,包括相对设置的第一端和第二端;所述第一端用于与半导体处理腔室的排气口连通,所述第二端用于与所述颗粒物分析仪连通;

所述采样管道用于将所述半导体处理腔室中的气体传输至所述颗粒物分析仪。

优选的,所述半导体处理腔室的排气口包括标准排气口和备用排气口,所述标准排气口用于排除所述半导体处理腔室中的气体;

所述采样管道的第一端用于与所述备用排气口连通。

优选的,还包括排气管道;

所述半导体处理腔室的排气口包括标准排气口和备用排气口,所述标准排气口用于排除所述半导体处理腔室中的空气;

所述排气管道的一端用于与所述标准排气口连通、另一端用于连通真空泵;

所述排气管道上具有一采样口,所述采样管道的第一端用于与所述采样口连通。

优选的,还包括阀门;所述阀门,设置于所述采样管道中,用于控制所述半导体处理腔室与所述颗粒物分析仪是否导通。

优选的,还包括上位机;所述颗粒物分析仪,包括分析腔和控制器;

所述分析腔,用于对所述采样管道传输的气体中的颗粒物进行分析;

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