[发明专利]一种常闭型氮化镓HEMT器件在审
| 申请号： | 201810498743.4 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108493245A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;张葶葶;朱廷刚;夏远洋 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 二维电子气 异质结构 常闭型 氮化镓HEMT器件 介电层 金属离子 钝化层 沟道层 上表面 势垒层 漏极 源极 沉积 申请 | ||
1.一种常闭型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：
作为沟道层的第一半导体层；
所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；
所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失；
所述异质结构上表面沉积有作为钝化层的介电层，其中，所述二维电子气常存在的区域的正上方的介电层中注入有预选定的金属离子。
2.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述介电层覆盖所述异质结构上表面，以及覆盖所述栅极的侧面和上表面，其中，所述源极和所述漏极均不被所述介电层覆盖。
3.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述器件还包括衬底，所述衬底和所述异质结构之间还分布设置有缓冲层。
4.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述p型半导体层的组成材料包括p型氮化镓或p型氮化铝镓或p型氮化铟镓。
5.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述介电层的组成材料包括金属氧化物。
6.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体层的材料组成包括氮化镓，所述第二半导体层的材料组成包括氮化铝镓。
7.如权利要求3所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层的组成材料包括氮化镓或氮化铝镓。
8.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述第二半导体层之间形成欧姆接触。
9.如权利要求3所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述衬底的组成材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝中的任意一种或两种以上的组合。
10.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述介电层的组成材料还包括SiNx或SiOx。
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