[发明专利]一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物，其结构式如下所示：

X：

上述聚合反应式中，m＝0.1～1；n为50～70的整数。

2.权利要求1所述的一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物的制备方法，其步骤如下：

(1)不同羧基结构含量聚芳醚酮聚合物的制备

以双氟单体、双酚单体为反应单体，双酚单体为含羧基结构双酚单体与其他双酚单体的混合；其中，双氟单体总用量与双酚单体总用量的摩尔比为1～1.03∶1，双酚单体中含羧基结构双酚单体的摩尔用量百分数为10～100％；以环丁砜为溶剂，使反应体系的固含量为20～30％；以甲苯为脱水剂，碳酸钾为成盐剂，成盐剂为双酚单体总摩尔数与二分之一含羧基双酚单体摩尔数总和的1.05～1.10倍(当不使用其它双酚单体时，成盐剂的用量为含羧基双酚单体摩尔数的1.58～1.65倍)；将反应单体、碳酸钾、环丁砜和甲苯加入到反应容器中，在氮气保护条件下升温至120～130℃，保持甲苯与水共沸回流，反应2～3小时至反应生成的水被完全带出，再升温至190～220℃继续反应8～16小时；反应结束后，将聚合反应产物在质量分数5～10％盐酸中出料，得到灰白色固体；经粉碎机粉碎后，分别用乙醇和蒸馏水洗涤6～8次，以除去过量的单体化合物、溶剂和无机盐；最后在70～90℃真空条件下干燥10～12小时，得到不同羧基结构含量的聚芳醚酮聚合物；

(2)不同POSS结构含量的聚芳醚酮聚合物的制备

以四氢呋喃为溶剂，将不同羧基结构含量的聚芳醚酮聚合物配制成质量体积比浓度为5～10％的聚合物溶液，在氮气保护和磁力搅拌条件下，冰水浴中溶解；待反应体系为0℃时，以3～5滴/分钟的速度将DMAP的四氢呋喃溶液滴加到上述聚合物溶液中，滴加完毕后撤去冰水浴；待反应体系温度恢复到室温后，向反应体系中加入与羧基摩尔数相同的单氨基POSS化合物，然后再将DCC的四氢呋喃溶液以3～5滴/分钟的速度滴加到反应体系中；在反应装置上安装球形冷凝管，室温条件下反应20～24小时；反应结束后，产物在蒸馏水中出料，析出絮状聚合物；分别用蒸馏水和乙醇反复洗涤6～10次，除去聚合物中残留的溶剂、DCC和DMAP，最后在70～90℃真空条件下干燥10～12小时，得到含不同POSS结构含量的聚芳醚酮聚合物；其中，不同羧基结构含量的聚芳醚酮聚合物羧基官能团与DCC、DMAP的摩尔比为1.0∶1.0～1.2∶0.10～0.12。

3.如权利要求2所述的一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物的制备方法，其特征在于：双氟单体为4，4’-二氟二苯甲酮，含羧基结构双酚单体为3，5-二羟基苯甲酸，其它双酚单体为六氟双酚A、3，3’，5，5’-四甲基-4，4’-联苯二酚或双酚A。