[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器，包括：基底、位线、电容器接触窗、介电结构、电容器以及着陆垫。位线位于基底上。电容器接触窗位于所述位线旁。电容器接触窗的上表面高于位线的上表面，使得电容器接触窗的上侧壁外露于位线。介电结构位于位线的上表面上，并延伸至电容器接触窗的上侧壁的一部分。电容器位于电容器接触窗上。着陆垫至少覆盖电容器接触窗的上表面的一部分。着陆垫与电容器接触窗之间的接触面积大于着陆垫与电容器之间的接触面积。

技术领域

本发明涉及一种存储器及其制造方法，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)属于为一种易失性存储器，其各存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且电性连接至对应的位线(Bit line)与字线(word line)。

随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展。然而，在这种趋势之下，DRAM的关键尺寸亦逐渐缩小，其导致DRAM中的电容器接触窗与电容器之间的接触电阻增加，进而降低可靠度。一旦电容器接触窗与电容器之间的对准发生失误时，接触电阻增加的问题将变得更加恶化。因此，如何降低电容器接触窗与电容器之间的接触电阻，将变成相当重要的一门课题。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，其可以增加电容器接触窗与电容器之间的接触面积，以降低电容器接触窗与电容器之间的接触电阻。

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，其可增加电容器接触窗与电容器之间的叠对裕度(overlay margin)，以提升动态随机存取存储器的良率与可靠度。

本发明提供一种动态随机存取存储器，包括：

基底、位线、电容器接触窗、介电结构、电容器以及着陆垫。位线位于基底上。电容器接触窗位于位线旁。电容器接触窗的上表面高于位线的上表面，使得电容器接触窗的上侧壁外露于位线。介电结构位于位线的上表面上，并延伸至电容器接触窗的上侧壁的一部分。电容器位于电容器接触窗上并与电容器接触窗电性连接。着陆垫位于电容器接触窗与电容器之间，以电性连接电容器接触窗与电容器。着陆垫至少覆盖电容器接触窗的上表面的一部分。着陆垫与电容器接触窗之间的接触面积大于着陆垫与电容器之间的接触面积。

本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，包括：

在基底上形成多个位线。在两位线之间形成电容器接触窗。各电容器接触窗的上表面高在各位线的上表面，使得多个凹陷分别形成在两电容器接触窗之间的位线上。在基底上形成第一衬层，第一衬层共形地覆盖电容器接触窗的上表面以及凹陷。在第一衬层上形成第二衬层，且所述第二衬层填入凹陷中。在第二衬层上形成介电层。在第一衬层中形成多个第一开口，并于介电层以及第二衬层中形成多个第二开口。第二开口分别位于第一开口上并与第一开口连通。各第一开口暴露出所对应的电容器接触窗的上表面的一部分且各第一开口的宽度大于各第二开口的宽度。在第一开口中形成多个着陆垫。在第二开口中形成多个电容器。各着陆垫与所对应的电容器接触窗之间的接触面积大于各着陆垫与所对应的电容器之间的接触面积。

基于上述，本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，其在电容器接触窗的表面上形成衬层，并通过加宽蚀刻处理，移除衬层的一部分，以在电容器接触窗的表面上形成着陆垫。着陆垫覆盖电容器接触窗的上表面，并延伸覆盖至电容器接触窗的上侧壁的一部分，以增加电容器接触窗与电容器之间的接触面积，进而降低电容器接触窗与电容器之间的接触电阻。如此一来，即使电容器接触窗与电容器之间的对准发生失误，也能够维持低的接触电阻。因此，本发明可增加电容器接触窗与电容器之间的叠对裕度，并提升动态随机存取存储器的良率与可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明