[发明专利]一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

权利要求书

1.一种NAND Flash芯片的掉电保护电路，其特征在于，包括连接外部电源和NANDFlash芯片的供电转换电路的电源通断控制电路，与所述供电转换电路连接的储能电路，以及与所述NAND Flash芯片并联设置的放电加速电路，其中：

电源通断控制电路，用于检测外部电源的掉电事件，并在检测到外部电源的掉电事件后，断开所述供电转换电路与所述外部电源的供电通路；

储能电路，用于在所述电源通断控制电路断开所述供电转换电路与所述外部电源的供电通路之后，为SSD系统、NAND Flash芯片供电，以使所述NAND Flash芯片的供电电压在时间长度T内处于芯片工作电压额定值，并在到达所述时间长度T时断开所述储能电路的供电电路；

放电加速电路，用于在检测到所述NAND Flash芯片的供电电压小于芯片工作电压阈值时对所述Nand Flash芯片进行放电，以使所述Nand Flash芯片的供电电压在所述电源通断控制电路闭合所述NAND Flash芯片的供电通路之前，降低到所述NAND Flash芯片的放电电压阈值。

2.根据权利要求1所述的NAND Flash芯片的掉电保护电路，其特征在于，所述电源通断控制电路包括第一掉电检测电路和第一开关模块：

第一掉电检测电路，用于实时检测所述外部电源的输出电压；

第一开关模块，用于当所述第一掉电检测电路检测到的输出电压为低电平时，断开所述供电转换电路与所述外部电源的供电通路，并在经过第一时间长度T1的时延后闭合所述供电通路，以使所述NAND Flash芯片在第一时间长度T1之内处于断电状态。

3.根据权利要求2所述的NAND Flash芯片的掉电保护电路，其特征在于，所述第一掉电检测电路包括：

第一电压比较电路，与所述外部电源连接，用于实时检测所述外部电源的输出电压，并比较所述外部电源的输出电压是否小于预设的第一电压参考值；

第一延时电路，与所述第一开关模块连接，用于当所述外部电源的输出电压小于所述第一电压参考值时，产生第一时间长度T1的关控制信号，以在所述第一时间长度T1断开所述供电转换电路与所述外部电源的供电通路。

4.根据权利要求2所述的NAND Flash芯片的掉电保护电路，其特征在于，所述放电加速电路包括第二掉电检测电路、第二开关模块和负载元件：

第二掉电检测电路，用于实时检测所述NAND Flash芯片的供电电压；

第二开关模块，用于当所述第二掉电检测电路检测到的电压值小于芯片工作电压阈值时，连接负载元件进行加速放电，以将所述Nand Flash芯片的供电电压在第二时间长度T2内降低到芯片放电电压阈值，其中，所述第二时间长度T2、所述时间长度T、所述Nand Flash芯片的供电电压从芯片工作电压额定值下降到芯片工作电压阈值的时间长度之和小于或等于所述第一时间长度T1。

5.根据权利要求4所述的NAND Flash芯片的掉电保护电路，其特征在于，所述第二掉电检测电路包括：

第二电压比较电路，与所述NAND Flash芯片的供电转换电路连接，用于实时检测所述NAND Flash芯片的供电电压，并比较所述NAND Flash芯片的供电电压是否小于所述芯片工作电压阈值；

第二延时电路，与所述第二开关模块连接，用于当所述NAND Flash芯片的供电电压小于所述芯片工作电压阈值时，产生第二时间长度T2的开控制信号，以使得所述负载元件在所述第二时间长度T2之内将所述Nand Flash芯片的供电电压降低到所述芯片放电电压阈值。

6.根据权利要求1所述的NAND Flash芯片的掉电保护电路，其特征在于，还包括与所述储能电路连接的开关控制电路，用于控制所述储能电路与所述外部电源的供电通路的通断。