[发明专利]包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及

多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，

其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度之间的变化小于第一变化，且所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度之间的变化小于第二变化，且

其中所述第二变化大于所述第一变化，

其中所述第一沟槽的第一深度及所述第三沟槽的第三深度之间的变化小于第三变化，且所述第二沟槽的第二深度及所述第四沟槽的第四深度之间的变化小于第四变化，且

其中所述第四变化大于所述第三变化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一宽度及所述第三宽度小于所述第二宽度及所述第四宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一深度及所述第三深度小于所述第二深度及所述第四深度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一沟槽的第一侧壁斜率及所述第三沟槽的第三侧壁斜率大于所述第二沟槽的第二侧壁斜率及所述第四沟槽的第四侧壁斜率。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一沟槽的第一侧壁斜率与所述第三沟槽的第三侧壁斜率之间的变化小于第五变化，

其中所述第二沟槽的第二侧壁斜率与所述第四沟槽的第四侧壁斜率之间的变化小于第六变化，且

其中所述第六变化大于所述第五变化。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二方向上在所述第一鳍到所述第五鳍上延伸的栅极电极。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二鳍、所述第三鳍及所述第五鳍中的至少一者的高度低于所述第一鳍的高度。

8.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一鳍结构、第二鳍结构及第三鳍结构，在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；

第一沟槽，将所述第一鳍结构与所述第二鳍结构彼此间隔开；以及

第四沟槽，将所述第二鳍结构与所述第三鳍结构彼此间隔开，

其中所述第一鳍结构包括从所述衬底突出的第一基础鳍、从所述第一基础鳍突出并在所述第二方向上彼此间隔开的第一鳍与第二鳍以及将所述第一鳍与所述第二鳍彼此间隔开的第二沟槽，

其中所述第二鳍结构包括从所述衬底突出的第二基础鳍、从所述第二基础鳍突出并在所述第二方向上彼此间隔开的第三鳍与第四鳍以及将所述第三鳍与所述第四鳍彼此间隔开的第三沟槽，

其中所述第一沟槽的第一深度及所述第四沟槽的第四深度之间的变化小于第一变化，且所述第二沟槽的第二深度及所述第三沟槽的第三深度之间的变化小于第二变化，且

其中所述第一变化大于所述第二变化。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第三鳍的第三高度及所述第四鳍的第四高度低于所述第一鳍的第一高度及所述第二鳍的第二高度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第三鳍的所述第三高度及所述第四鳍的所述第四高度彼此相同。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二基础鳍具有平的上表面。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第二基础鳍的所述平的上表面低于所述第一沟槽的底表面。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括从所述衬底突出的基础，所述基础具有形成在所述基础的上表面上的所述第一鳍结构、所述第二鳍结构及所述第一沟槽。