[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810490262.9 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN108766976B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 黄勇潮;王东方;成军;何敏;周斌;赵策 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置,显示面板包括:衬底基板;薄膜晶体管;形成于薄膜晶体管上的OLED结构,包括相对设置的第一电极和第二电极、设置于第一电极和第二电极之间的有机发光层;还包括设置于第一电极和有机发光层之间的遮光层,遮光层包括第一遮光层和第二遮光层;其中,第一遮光层包括第一遮光部和与像素区对应的第一开口部,第二遮光层包括第二遮光部及与像素区对应的第二开口部,所述第二遮光部包括第一部分和第二部分,所述第一部分在所述衬底基板上的正投影小于所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影;所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第一开口部在所述衬底基板的正投影内。
技术领域
本发明涉及液晶产品制作技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
TFT(薄膜晶体管)光照稳定性历来是棘手问题,尤其是对于AMOED(ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极体面板)产品当中,光照稳定性表现更为敏感。在技术不断的进展当中,人们从ESL(刻蚀阻挡)开发到Top Gate(顶栅)结构,基于Top Gate结构的TFT确实可达到很好的遮光效果。但是要想在ESL结构本身提高其光照稳定性,依然存在很大困难,像素发光区与TFT水平方向距离较近,在像素发光区水平方向存在漏光,降低了TFT信赖性。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种显示面板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线,多条所述栅线和多条所述数据线纵横交错设置,限定出多个像素区;
设置于所述像素区内的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与对应的所述栅线、所述数据线连接;
位于所述薄膜晶体管上的OLED结构,所述OLED结构包括相对设置的第一电极和第二电极、及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层;
还包括遮光层,所述遮光层包括设置于所述第一电极之上的第一遮光层、及设置于所述第一遮光层之上的第二遮光层;
其中,所述第一遮光层包括第一遮光部和与所述像素区对应的第一开口部,所述第二遮光层包括第二遮光部及与所述像素区对应的第二开口部,
所述第二遮光部包括第一部分和第二部分,所述第一部分在所述衬底基板上的正投影小于所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影;
所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第一开口部在所述衬底基板的正投影内。
进一步的,所述第一遮光部和所述第二遮光部在栅线设置方向的长度相同。
进一步的,所述第一开口部在所述衬底基板上的正投影和所述第二开口部在所述衬底基板上的正投影的大小形状相同,所述第一遮光层在所述衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述衬底基板上的正投影的大小形状相同。
进一步的,所述第一遮光层和所述第二遮光层的材料相同。
进一步的,所述第一开口部和所述第二开口部形成开口,所述有机发光层至少部分位于所述开口内。
进一步的,还包括彩膜层,所述彩膜层设置于所述薄膜晶体管与所述第一电极之间,所述彩膜层的像素单元对应于所述像素区设置。
进一步的,所述第一电极与所述彩膜层之间设置有平坦层。
进一步的,所述平坦层采用有机材料制成。
进一步的,所述薄膜晶体管和所述彩膜层之间设置有绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的