[发明专利]一种晶圆键合工艺的改进方法

说明书

本发明涉及一种晶圆键合工艺的改进方法，包括以下步骤：获取第一时间段中的晶圆键合数据；采用分段式移动数据获取气泡异常比；根据所述异常比的比值判断键合设备的性能。本发明采用分段式移动数据方法对所述晶圆键合数据进行分析，纯系统操作，避免人为的误差，准确度高；且本发明能大量减少相关工程师工作时间，使工程人员可以投入到其他工作中，提高生产效率。本发明中可以随时且快速地得到各种类型气泡的状况，以便及时判断键合设备的性能；当所述键合设备出现异常时，本系统可以及时的做出判断，并发出停止所述键合设备运行的信号，以便减少被异常键合设备影响的晶圆，从而减少晶片被损坏带来的损失，具有很高的经济价值。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种晶圆键合工艺的改进方法。

背景技术

现有技术中，连接晶圆采用的键合技术，是将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。键合技术能使连接界面保持纯净，避免杂质污染，符合现代微电子材料、光电材料及奈米等级微机电系统器件的严格制作要求，常用的键合技术有阳极键合、共晶键合、熔融键合以及金属扩散键合等。

随着半导体制造技术的发展，键合技术也面临着越来越多的挑战，其中就包括无法在扫描时对键合区域的间隙及气泡进行管控；无法灵活且及时地得到各种缺陷的情况，难以及时判断键合设备的性能；从而无法及时发现键合设备的异常，导致损伤大量的晶圆，经济损失严重。

因此，急需提供一种晶圆键合工艺的改进方法，以解决现有技术中难以及时判断键合设备的性能；从而无法及时发现键合设备的异常，导致损伤大量的晶圆，经济损失严重的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆键合工艺的改进方法，以解决现有技术中难以及时判断键合设备的性能；从而无法及时发现键合设备的异常，导致损伤大量的晶圆，经济损失严重的问题。

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种晶圆键合工艺的改进方法，包括以下步骤：

S1：获取第一时间段中的晶圆键合数据；

S2：采用分段式移动数据获取气泡异常比；

S3：根据所述异常比的比值判断键合设备的性能。

可选的，在所述晶圆键合工艺的改进方法中，所述晶圆键合数据包括晶圆键合的原始数据和异常数据；

所述原始数据为设定区间内键合晶圆的总数，异常数据为设定区间内气泡超标的键合晶圆的数量。

可选的，在所述晶圆键合工艺的改进方法中，所述设定区间为所述键合设备从开启至停止的工作区间。

可选的，在所述晶圆键合工艺的改进方法中，S2中，所述分段式移动数据方法包括：

当天有0个区间，所述键合设备当天没有开启工作，则所述异常比为0。

可选的，在所述晶圆键合工艺的改进方法中，S2中，所述分段式移动数据方法包括：

当天有1个区间，当所述原始数据大于等于设定值，当天所述异常比的基数为当天的原始数据；当所述原始数据小于设定值，往前一天累积直至设定值都没有出现停止所述键合设备的情况，则累积至设定值作为当天所述异常比的基数；反之往前一天累积过程中，累积未至设定值时出现停止所述键合设备，则当天所述异常比的基数为当天的原始数据累积前一天最后一次开启所述键合设备后的原始数据之和。

可选的，在所述晶圆键合工艺的改进方法中，S2中，所述分段式移动数据方法包括：

当天有2个区间，当后区间的原始数据为0，判断前区间的原始数据，判断方法与当天只有1个区间的情况相同；当后区间的原始数据大于0，则前区间的原始数据累积至前一天，当天所述异常比的基数为后区间的原始数据。