[发明专利]一种利用分子和原子层沉积技术制备气体过滤膜的方法与应用在审
| 申请号： | 201810482129.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108531891A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 章伟;全文静;闵信杰;胡烨伟;胡雪峰 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学;安徽六维传感科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体过滤膜 薄膜 原子层沉积技术 致密 制备 传感器电阻 大分子气体 分子层沉积 表面沉积 测试气体 反应器 传感膜 反应腔 敏感层 微孔膜 氧化锡 有效地 传感器 堆叠 孔道 微孔 煅烧 沉积 应用 阻挡 扩散 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用分子和原子层沉积技术制备气体过滤膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用分子层沉积技术将氧化锡传感膜表面沉积一层MLD薄膜，然后煅烧除去其中的有机部分，形成Al2O3微孔膜；步骤2，将步骤1材料置于ALD反应器的反应腔内，通过沉积形成ALD薄膜，根据需要循环ALD，即得气体过滤膜。
2.根据权利要求1所述的利用分子和原子层沉积技术制备气体过滤膜的方法，其特征在于，步骤1中所述的沉积一层MLD薄膜是指先冲入Al(CH3)3蒸汽，再用20sccm氮气吹扫10秒后，冲入乙二醇蒸汽，最后用20sccm氮气吹扫10秒。
3.根据权利要求1所述的利用分子和原子层沉积技术制备气体过滤膜的方法，其特征在于，步骤2中沉积形成ALD薄膜是指先冲入Al(CH3)3蒸汽，再用20sccm氮气吹扫10秒后，冲入H2O蒸汽，最后用20sccm氮气吹扫10秒。
4.基于权利要求1制备的气体过滤膜在氢气检测领域上的应用。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，所述氢气检测的浓度为0-5000 ppm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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