[发明专利]高电位侧栅极驱动电路、半导体模块及3相逆变器系统

权利要求书

1.一种高电位侧栅极驱动电路，其对高电位侧开关元件进行驱动，

该高电位侧栅极驱动电路具有：

脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及

电平移位电路，其将所述第1脉冲的基准电压向所述高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位，

所述电平移位电路具有通过所述第1脉冲进行驱动的MOSFET，

所述高电位侧栅极驱动电路具有：

遮蔽信号生成电路，其生成在所述MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及

再发出电路，其在所述遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中所述第1脉冲被输入至所述电平移位电路的情况下，在所述遮蔽期间后，将第2脉冲输入至所述电平移位电路。

2.根据权利要求1所述的高电位侧栅极驱动电路，其中，

所述电平移位电路还具有电流反射镜电路，该电流反射镜电路的1次侧与所述MOSFET的源极端子连接，

向所述遮蔽信号生成电路输入构成所述电流反射镜电路的双极晶体管的基极信号。

3.根据权利要求1或2所述的高电位侧栅极驱动电路，其中，还具有：脉冲状态生成电路，其在所述遮蔽信号和所述MOSFET的栅极电位都为高电平时，生成成为高电平的状态信号，

所述再发出电路在所述遮蔽期间内所述状态信号为高电平时，在所述遮蔽期间后，将所述第2脉冲输入至所述电平移位电路。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的高电位侧栅极驱动电路，其中，

所述第1脉冲包含与所述输入信号的上升同步的接通脉冲和与所述输入信号的下降同步的断开脉冲，

所述MOSFET具有：接通侧MOSFET，其通过所述接通脉冲进行驱动；以及断开侧MOSFET，其通过所述断开脉冲进行驱动，

所述遮蔽信号生成电路生成在所述接通侧MOSFET的源极电位和所述断开侧MOSFET的源极电位都成为高电平的期间成为高电平的所述遮蔽信号。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的高电位侧栅极驱动电路，其中，

所述高电位侧开关元件是宽带隙半导体。

6.一种半导体模块，其将6个权利要求1至5中任一项记载的高电位侧栅极驱动电路集成于1个封装件。

7.一种3相逆变器系统，其具有权利要求1至4中任一项记载的高电位侧栅极驱动电路。