[发明专利]一种含有邻菲啰啉的芳胺衍生物及其有机电致发光器件在审

专利信息
申请号: 201810476675.1 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN108558874A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 周雯庭;蔡辉 申请(专利权)人: 长春海谱润斯科技有限公司
主分类号: C07D471/04 分类号: C07D471/04;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130000 吉林省长春市北湖科技*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 有机电致发光器件 芳胺衍生物 空穴传输层 发光层 占据分子轨道能级 耐热性 有机光电材料 化合物制备 空穴迁移率 电荷均衡 发光效率 降低器件 驱动电压 使用寿命 成膜性 辅助层 折射率 发光 应用
【权利要求书】:

1.一种含有邻菲啰啉的芳胺衍生物,其特征在于,具有如通式(I)所示结构:

其中,R1、R2、R3、R4、R5独立地选自氢、卤素、C1~C12取代或未取代的烷基、C6~C30取代或未取代的芳基、C3~C30取代或未取代的杂芳基;L选自单键、C6~C30取代或未取代的二价芳基、C3~C30取代或未取代的二价杂芳基;Ar1、Ar2独立地选自C6~C60取代或未取代的芳基、C3~C60取代或未取代的杂芳基,或者Ar1与Ar2相互连接成含氮五元杂环。

2.根据权利要求1所述的含有邻菲啰啉的芳胺衍生物,其特征在于,所述的含有邻菲啰啉的芳胺衍生物具有通式(II)或(III)所示结构:

其中,R1、R2、R3、R4、R5独立地选自氢、氟原子、C1~C4取代或未取代的烷基、C6~C30取代或未取代的芳基、C3~C30取代或未取代的杂芳基;L选自单键、C6~C30取代或未取代的二价芳基、C3~C30取代或未取代的二价杂芳基;Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9、Z10独立地选自氢、氘、氰基、卤素、C1~C4取代或未取代的烷基、C1~C4取代或未取代的烷氧基、C6~C30取代或未取代的芳基、C3~C60取代或未取代的杂芳基,或者Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9、Z10中任意相邻的两个取代基相连形成环。

3.根据权利要求1所述的含有邻菲啰啉的芳胺衍生物,其特征在于,所述L选自单键或者如下基团:

其中,Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8独立地选自氢、氘、氰基、氟原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。

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