[发明专利]一种含有邻菲啰啉的芳胺衍生物及其有机电致发光器件在审
申请号: | 201810476675.1 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN108558874A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 周雯庭;蔡辉 | 申请(专利权)人: | 长春海谱润斯科技有限公司 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 130000 吉林省长春市北湖科技*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机电致发光器件 芳胺衍生物 空穴传输层 发光层 占据分子轨道能级 耐热性 有机光电材料 化合物制备 空穴迁移率 电荷均衡 发光效率 降低器件 驱动电压 使用寿命 成膜性 辅助层 折射率 发光 应用 | ||
1.一种含有邻菲啰啉的芳胺衍生物,其特征在于,具有如通式(I)所示结构:
其中,R1、R2、R3、R4、R5独立地选自氢、卤素、C1~C12取代或未取代的烷基、C6~C30取代或未取代的芳基、C3~C30取代或未取代的杂芳基;L选自单键、C6~C30取代或未取代的二价芳基、C3~C30取代或未取代的二价杂芳基;Ar1、Ar2独立地选自C6~C60取代或未取代的芳基、C3~C60取代或未取代的杂芳基,或者Ar1与Ar2相互连接成含氮五元杂环。
2.根据权利要求1所述的含有邻菲啰啉的芳胺衍生物,其特征在于,所述的含有邻菲啰啉的芳胺衍生物具有通式(II)或(III)所示结构:
其中,R1、R2、R3、R4、R5独立地选自氢、氟原子、C1~C4取代或未取代的烷基、C6~C30取代或未取代的芳基、C3~C30取代或未取代的杂芳基;L选自单键、C6~C30取代或未取代的二价芳基、C3~C30取代或未取代的二价杂芳基;Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9、Z10独立地选自氢、氘、氰基、卤素、C1~C4取代或未取代的烷基、C1~C4取代或未取代的烷氧基、C6~C30取代或未取代的芳基、C3~C60取代或未取代的杂芳基,或者Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9、Z10中任意相邻的两个取代基相连形成环。
3.根据权利要求1所述的含有邻菲啰啉的芳胺衍生物,其特征在于,所述L选自单键或者如下基团:
其中,Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8独立地选自氢、氘、氰基、氟原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。
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