[发明专利]一种含有邻菲啰啉的芳胺类化合物及其有机电致发光器件

说明书

本发明提供一种含有邻菲啰啉的芳胺类化合物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。该类化合物制备方法简单、原料易得，具有很好的热稳定性和化学稳定性，具有高的空穴迁移率，稳定性和成膜性好，还具有适合的最高占据分子轨道能级、高T1值和高折射率，作为发光辅助层和空穴传输层应用于OLED器件中，可以实现发光层内的电荷均衡，从而显著提高器件的发光效率、耐热性和使用寿命，同时还能降低器件的驱动电压，是一类性能优良的OLED材料。

技术领域

本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种含有邻菲啰啉的芳胺类化合物及其有机电致发光器件。

背景技术

通常，有机电致发光(OLED)器件由阳极、阴极、以及阳极和阴极之间的一层以上的有机薄膜层构成。向两电极间施加电压时，电子从阴极侧注入到发光区域，空穴从阳极侧注入到发光区域，二者在发光区域中再结合而成为激发状态，当激发状态恢复至基态时发出光。因此，高效率地向发光区域传输电子或空穴、使电子与空穴的再结合容易的化合物的开发在得到高效率OLED器件方面是重要的。

另外，以更低的电压驱动OLED器件，可以有效减少耗电量，进而对OLED器件的发光效率和使用寿命有所改善。驱动电压的降低，需要具有对于电子和/或空穴的高的迁移率的电荷传输材料。

目前，作为空穴传输层的化合物多为含有芴、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、其他芳基或杂芳基的芳胺类化合物，但是，这些化合物的空穴迁移率欠佳，要求开发具有更高空穴迁移率的化合物。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明提供一种含有邻菲啰啉的芳胺类化合物及其有机电致发光器件。

本发明提供了一种含有邻菲啰啉的芳胺类化合物，结构式如式(I)所示：

其中，L选自单键、C6～C30取代或未取代的二价芳基、C3～C30取代或未取代的二价杂芳基；Ar₁、Ar₂独立地选自C6～C60取代或未取代的芳基、C3～C60取代或未取代的杂芳基，或者Ar₁与Ar₂相连形成含氮五元杂环。

优选的，所述的含有邻菲啰啉的芳胺类化合物具有通式(II)或(III)所示结构：

其中，L选自单键、C6～C30取代或未取代的二价芳基、C3～C30取代或未取代的二价杂芳基；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀独立地选自氢、氘、氰基、卤素、C1～C4取代或未取代的烷基、C1～C4取代或未取代的烷氧基、C6～C30取代或未取代的芳基、C3～C60取代或未取代的杂芳基，或者R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀任意相邻的两个取代基可以相连形成环。

优选的，所述L选自单键或者如下基团：

其中，Z₁、Z₂、Z₃、Z₄、Z₅、Z₆、Z₇、Z₈独立地选自氢、氘、氰基、氟原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。

优选的，所述的含有邻菲啰啉的芳胺类化合物具有如下通式所示结构：