[发明专利]一种整流二极管芯片在审
| 申请号： | 201810472958.9 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108565293A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王民安;王日新;马霖;汪杏娟;郑春鸣 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 杨大庆 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 长基区 整流二极管芯片 芯片 截止 半导体功率器件 二极管芯片 向上延伸 向下延伸 电参数 下层 生产成本 上层 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上层的P层和P+层，设置在长基区N下层的N+层；还设置有电压槽，所述电压槽从P+层向下延伸到长基区N内；其特征在于：所述二极管芯片的四周设置有N+截止墙，所述N+截止墙从N+层向上延伸至电压槽的底部。
2.如权利要求书1所述的整流二极管芯片，其特征在于：所述N+截止墙的内侧到电压槽侧边的垂直距离不小于长基区N的宽度。
3.如权利要求书1所述的整流二极管芯片，其特征在于：所述N+截止墙的宽度不小于80um。
4.如权利要求书1所述的整流二极管芯片，其特征在于：所述N+层的底部设置有一圈盲孔，盲孔位于N+截止墙的下方。
5.如权利要求书4所述的整流二极管芯片，其特征在于：所述盲孔为激光孔或刻蚀孔。
6.如权利要求书1所述的整流二极管芯片，其特征在于：所述N+层的底部设置有一圈凹槽，凹槽位于N+截止墙的下方。
7.如权利要求书6所述的整流二极管芯片，其特征在于：所述凹槽位于N+层内部或位于N+层的侧边缘上。
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