[发明专利]一种金属纳米线网络、及其制备方法

权利要求书

1.一种金属纳米线网络的制备方法，其中，所述的金属纳米线网络包括由下至上排列的衬底和金属纳米线，所述的金属纳米线的直径为150-950nm；

其特征在于，包括以下步骤：

S1)、将清洗干净的衬底放入溅射仪中，然后抽真空，在10^-2Pa时，通入氩气，溅射金属靶材，得到厚度为5-30nm的非晶态的金属非晶纳米薄膜；

S2)、将制备好的金属非晶纳米薄膜转移到管式退火炉中，先以0.4L/min的流量通入15min的纯度99.999％的氮气，排空管式炉中的氧气，然后将氮气的流量调整为0.1-0.3L/min，按照2-5℃/min的升温速率将管式退火炉中的温度升至300-600℃，保温0.5-20min，非晶态的金属非晶纳米薄膜在高温下缓慢结晶，薄膜缓慢收缩，在氮气的辅助下逐步形成结晶态的金属纳米线网络；

所述的金属纳米线网络可用于光电探测器、气敏探测器或太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种金属纳米线网络的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，所述的金属靶材为纯度为99.9％以上的Pt，Al，Au，Ag，Ni，Fe，Sn，Mn，W，Cu，Ti，Mo，Zn中的一种或者几种的组合。

3.根据权利要求1所述的一种金属纳米线网络的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，溅射条件为：氩气压强为1-0.1Pa，溅射电流为8-10A，溅射时间为30-120s。

4.根据权利要求1所述的一种金属纳米线网络的制备方法，其特征在于：步骤S1)中，衬底为Si、蓝宝石、掺钇氧化锆YSZ中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种金属纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述的光电探测器从下至上依次包括衬底层、金属纳米线网络、n型ZnO薄膜外延层和电极。

6.根据权利要求1所述的一种金属纳米线网络的制备方法，其特征在于：所述的气敏探测器从下至上依次包括衬底层、金属纳米线网络，ZnO纳米柱、电极。

7.根据权利要求1所述的一种金属纳米线网络的制备方法，其特征在于：太阳能电池从下至上依次包括衬底层、金属纳米线网络、ZnO薄膜层，和具有成分梯度的Mg_xZn_1-xO缓冲层、n型掺硅Mg_xZn_1-xO外延层、Mg_xZn_1-xO多量子阱层、p型掺镁的Mg_xZn_1-xO层。