[发明专利]一种高K值相变导热片及其制备方法

权利要求书

1.一种高K值相变导热片制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：将导热填料烘烤30～50小时，除去水分；

步骤S2：将导热填料进行粒径极配，按照12：10：3的重量比分别取大、中、小三种粒径的导热填料，在搅拌器内进行预混，使三种不同粒径的导热填料初步混合；

步骤S3：将步骤S2所得的导热填料与有机合成酯、环氧树脂放入带有油浴加热功能的搅拌机内，缓慢均匀加入相变蜡并加热至90～100℃；

步骤S4：待相变蜡全部融化后，加入交联剂和铂金催化剂进行20～30分钟的混合，得到相变导热材料；

步骤S5：将步骤S3所得的相变导热材料冷却至室温，待固化后，在成型机上制成不同厚度的片材，然后根据需要裁切成不同尺寸和形状的相变导热产品；

其特征在于：在步骤S3中，所述的有机合成酯是指二元酯、多元醇酯类基础油和烷基萘基础油中的一种或两种以上的混合物，在步骤S3中，所述的环氧树脂是指双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂中的一种或其混合物，在步骤S3中，所述搅拌机工艺条件为：在真空度为-0.1MPa下，搅拌、真空脱泡30～40分钟。

2.如权利要求1所述的高K值相变导热片制备方法，提出一种高K值相变导热片，其特征在于：所述导热片由以下按质量百分比计算加入的原料制备而成：

3.如权利要求2所述的高K值相变导热片，其特征在于：所述交联剂为含氢有机聚硅氧烷，其分子中具有至少两个硅氢键，且硅氢键的位置可以是侧基或同时位于分子末端和侧链上，优选位于侧链上。优选的交联剂含氢量为0.01％-0.3％(质量)，本发明中含氢量为交联剂硅氢键中氢原子的质量百分比，在25℃的黏度为30-1500mPa·s，更优选为50-800mPa·s。

4.如权利要求2所述的高K值相变导热片，其特征在于：所述相变蜡为石蜡、微晶蜡、棕榈蜡、白石蜡其中的一种或多种的混合物，所述相变蜡的相变温度范围为48-52℃。

5.如权利要求2所述的高K值相变导热片，其特征在于：所述导热填料选自微米级无机氮化物粉末、微米级无机氧化物粉末、微米级金属单质粉末和微米级非金属粉末中的至少一种，优选氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化铝，氮化硅和铝粉中的一种或两种以上的混合物。

6.如权利要求2所述的高K值相变导热片，其特征在于：所述相变材料为相变蜡和高密度聚乙烯按照质量比1:1～5:1制得的混合物，所述相变蜡为石蜡、微晶蜡、棕榈蜡其中的一种或多种的混合物，所述相变蜡的相变温度范围为48-52℃。

7.如权利要求2所述的高K值相变导热片，其特征在于：所述的导热填料按大、中、小三种粒径粉体组成，大粒径的颗粒尺寸为15～50μm，中粒径的颗粒尺寸为3～15μm，小粒径的颗粒尺寸为0.5～3μm。

8.如权利要求2所述的高K值相变导热片，其特征在于：所述添加剂包括表面活性剂、阻燃剂、着色剂，所述表面活性剂优选聚丙烯酰胺，所述阻燃剂优选氢氧化铝粉、三聚氰胺磷酸盐或聚多磷酸盐中的一种或两种以上的混合物。