[发明专利]铜晶须的制备方法在审
| 申请号： | 201810468715.8 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108570710A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张燕辉;于广辉;陈志蓥;隋妍萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/02;C30B1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜基材 晶须 硫化物 制备 还原反应 表面生长 表面形成 干燥处理 还原气氛 硫化反应 硫源溶液 批量制备 铜线 铜硫化 生长 铜板 基材 铜粉 清洗 拓展 | ||
1.一种铜晶须的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
1)提供铜基材，将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应，以在所述铜基材表面形成铜的硫化物；
2)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理；
3)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应，以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。
2.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述硫源溶液包含纯硫脲溶液及硫脲的混合溶液中的一种。
3.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述铜基材包含铜线、泡沫铜、铜箔、铜板、铜锭以及铜粉所组成群组中的一种。
4.根据权利要求3所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述铜基材选用为铜粉，所述铜粉的径向尺寸范围介于0.01微米～1000微米之间，步骤3)所述生长形成的铜晶须包含铜晶须团。
5.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述铜晶须上还生长形成有分支子铜晶须。
6.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述铜基材的材质包含单质铜及铜合金，所述铜合金包含紫铜、黄铜、青铜及白铜所组成群组中的一种。
7.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述的硫化温度范围介于100℃～350℃之间，以提高所述铜基材的硫化速率及提高铜的硫化物的质量。
8.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述硫化反应的时间范围为0.1h～10000h。
9.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述还原气氛包括纯氢气气氛及氢气与惰性气体的混合气体气氛。
10.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述还原反应的温度范围介于200℃～1100℃之间，以提高在还原反应中所述铜晶须的生长速率及生长质量。
11.根据权利要求1～10任意一项所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：通过控制所述铜基材的硫化反应的程度以及还原反应的程度来控制所述铜晶须的生长速度和尺寸。
12.根据权利要求11所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：通过控制所述硫源溶液的浓度、硫化反应的温度以及时间来控制所述铜基材的硫化反应的程度，通过控制所述还原气氛的气体浓度、还原反应的温度及时间来控制所述还原反应的程度。
13.根据权利要求1所述的铜晶须的制备方法，其特征在于：所述铜晶须的直径范围介于0.01微米～80微米之间。
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