[发明专利]一种半导体芯片生产工艺

权利要求书

1.一种半导体芯片生产工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

步骤一：将晶圆的一面研磨成镜面；

步骤二：将步骤一中的晶圆送入高温扩散炉管内，使晶圆表面产生浅薄而均匀的二氧化硅；

步骤三：将步骤二中的晶圆送入光刻机内进行曝光显影；

步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机内进行等离子体刻蚀；

步骤五：将步骤四中的晶圆送入离子注入机进行离子注入；

步骤六：将步骤五中的晶圆输送至下一工序；

其中，所述的刻蚀机包括箱体(1)、偏压装置(11)、机械卡盘(12)、抽吸管(13)和激励线圈(14)；其特征在于：还包括驱动电机(5)、连杆(6)和调节装置(7)；所述驱动电机(5)安装在箱体(1)顶部，所述驱动电机(5)转轴通过万向轴连接着机械卡盘(12)，所述机械卡盘(12)用于固定晶圆；所述连杆(6)一端铰接在机械卡盘(12)外圈；所述连杆(6)另一端通过滚珠滑动安装在箱体(1)内壁的凸轮槽(61)内，且凸轮槽(61)的截面形状呈波峰状；所述激励线圈(14)环绕箱体(1)设置，激励线圈(14)用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压装置(11)与箱体(1)相连，偏压装置(11)用于对机械卡盘(12)中的晶圆施加偏压；所述调节装置(7)设置箱体(1)底板上，所述调节装置(7)用于向箱体(1)内注入刻蚀气体，所述抽吸管(13)设在箱体(1)底部，抽吸管(13)用于抽离刻蚀反应产物。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述调节装置(7)包括转盘(71)、弧形叶片(72)、气孔(73)和进气管(8)；所述进气管(8)安装在箱体(1)底板中心；所述转盘(71)转动安装在进气管(8)端头；所述转盘(71)外圈设有一组弧形叶片(72)；所述弧形叶片(72)中内弧面的一侧设有一组气孔(73)；所述气孔(73)的轴向与转盘(71)的同心圆相切且向晶圆方向倾斜。

3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述进气管(8)包括上支管(81)、堵块(82)、上浮动板(83)、下浮动板(84)、并联伸缩杆(85)、下支管(86)和软管；所述上支管(81)转动安装在转盘(71)底部，所述上支管(8)一端转动安装堵块(82)；所述堵块(82)设有扇形缺口；所述上支管(81)内壁设有一组导气管(811)；所述导气管(811)开口朝向堵块(82)，所述导气管(811)喷出刻蚀气体使堵块(82)旋转；堵块(82)转动使不同的弧形叶片(72)交替喷出刻蚀气体；所述上支管(81)另一端固定着上浮动板(83)；所述下浮动板(84)通过一组并联伸缩杆(85)连接在上浮动板(83)底部；所述上浮动板(83)和下浮动板(84)中部通过软管连接，所述下浮动板(84)底部固连着下支管(86)；所述下支管(86)固定在箱体(1)底部中心并连接到供气装置上。

4.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述弧形叶片(72)内部设有垂直气孔(73)的滑道，所述滑道内滑动安装着挡板(721)；所述弧形叶片(72)中内弧面的一侧通过扭簧转动安装一组导流板(722)；所述导流板(722)用于改变气孔(73)喷出的刻蚀气体流向。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述连杆(6)包括第一支杆(67)和第二支杆(62)，所述第一支杆(67)一端通过滚珠滑动安装在箱体(1)内壁的凸轮槽(61)内；所述第一支杆(67)另一端通过弹簧连接着第二支杆(62)的一端；所述第二支杆(62)另一端铰接在机械卡盘(12)外圈；所述箱体(1)内壁固连有支板(63)；所述支板(63)端头设有横板(64)，所述横板(64)上设有一组三角块(65)；所述第二支杆(62)设为圆柱形。

6.根据权利要求5所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述三角块(65)一侧的横板(64)上设有拱起的弧形弹片(66)。