[发明专利]一种两步电沉积法制备铜铟合金修饰CuInS2薄膜电极的方法有效
| 申请号： | 201810465278.4 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108505085B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 元炯亮;安晨光;朱佳众 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;C25D3/54;C25B3/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜铟合金 电沉积 修饰 电极 还原 光电催化反应 催化剂领域 电沉积金属 光阴极 乙醇 上电 沉积 光照 金属 | ||
1.一种采用两步电沉积法制备铜铟合金修饰CuInS2薄膜电极的方法，其特征在于，首先在CuInS2薄膜上电沉积Cu2O颗粒，然后再电沉积金属In颗粒；在电沉积In颗粒的过程中，Cu2O颗粒还原为金属Cu颗粒，从而形成了铜铟合金修饰的CuInS2薄膜。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积Cu2O时，将铜盐、乳酸混合制成电沉积溶液，其中铜盐选自氯化铜、硫酸铜、硝酸铜中的一种或多种。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积Cu2O时，铜盐浓度为0.2～1M，乳酸浓度为0.1～0.4M。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积Cu2O时，调节沉积溶液的pH值为9～12。
5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积Cu2O时，沉积电位相对于饱和甘汞电极为-0.6～-0.9V。
6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积Cu2O时，电沉积时间为2～60s。
7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积铟时，在柠檬酸钠和柠檬酸的缓冲溶液中加入铟盐，制成电沉积溶液，其中铟盐选自氯化铟、硫酸铟、硝酸铟中的一种或多种。
8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积铟时，铟盐浓度为5～50mM。
9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积铟时，调节沉积溶液的pH值为2～4。
10.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积铟时，沉积电位相对于饱和甘汞电极为-1.0～-1.5V。
11.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，两步电沉积法在CuInS2薄膜表面沉积铟时，沉积时间为5～60s。
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