[发明专利]一种埋容基板及加工方法在审

专利信息
申请号: 201810464194.9 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108419365A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 韩建华;欧宪勋;罗光淋;程晓玲;王君鹏;林艳 申请(专利权)人: 日月光半导体(上海)有限公司
主分类号: H05K1/16 分类号: H05K1/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 内侧金属层 第二电极 基板 外侧金属层 第一电极 软性材料 埋容 埋层 粘结 加工
【权利要求书】:

1.一种加工埋层基板的方法,所述方法包含:

提供第一埋层结构,其包含第一软性材料、第一电极层和第二电极层,其中所述第一电极层和所述第二电极层设置在所述第一软性材料两侧,所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层,所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结,所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合;

提供第二埋层结构,其包含第二软性材料、第三电极层和第四电极层,其中所述第三电极层和所述第四电极层设置在所述第二软性材料两侧,所述第四电极层包含第二内侧金属层和第二外侧金属层,所述第二内侧金属层与所述第二软性材料粘结,所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合;

压合所述第一埋层结构、支撑载板和所述第二埋层结构,使得所述第一外侧金属层和所述第二外侧金属层分别与所述支撑载板紧密接合;

在所述第一埋层结构的所述第一电极层上形成第一图形线路层、第一支撑层和第一金属层,并在所述第二埋层结构的所述第三电极层上形成第二图形线路层、第二支撑层和第二金属层;以及

去除所述支撑载板,使得所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层分离,且所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层分离,得到经加工的埋层基板。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一软性材料和所述第二软性材料为电介质材料。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一内侧金属层的厚度大于所述第一外侧金属层的厚度,且所述第二内侧金属层的厚度大于所述第二外侧金属层的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第一内侧金属层和所述第一外侧金属层为铜箔,且所述第二内侧金属层和所述第二外侧金属层为铜箔。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一图形线路层和所述第二图形线路层同时形成,所述第一支撑层和所述第二支撑层同时形成,且所述第一金属层和所述第二金属层同时形成。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一支撑层和所述第二支撑层为具有玻璃纤维的树脂材料。

7.根据权利要求1所述的方法,其中在去除所述支撑载板前,于所述第一埋层结构的所述第一金属层上进一步形成第三图形线路层、第三支撑层和第三金属层,并在所述第二埋层结构的所述第二金属层上进一步形成第四图形线路层、第四支撑层和第四金属层。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述第三图形线路层和所述第四图形线路层同时形成,所述第三支撑层和所述第四支撑层同时形成,且所述第三金属层和所述第四金属层同时形成。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述分离是机械分离。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体(上海)有限公司,未经日月光半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810464194.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top