[发明专利]一种高稳定性的基准电压产生电路

说明书

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种高稳定性的基准电压产生电路。本发明提供的一种高稳定性的基准电压产生电路，包括MOS管M1~M12、电阻R1~R6和三极管Q1、Q2。该基准电压产生电路有效地解决了现有技术中基准电压源温度系数高、稳定性差的问题，在传统基准电压电路的基础上进行改进，降低了输出电压的温度系数，具有较高的输出稳定性。

技术领域

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种高稳定性的基准电压产生电路。

背景技术

基准电压产生电路是模拟芯片必不可少的电路结构，其性能会直接影响到整个电路的性能。作为ADC和电源电路的重要组成模块之一，越来越注重输出的精度和稳定性，高稳定性的基准电压产生电路成为了一种重要的发展方向。传统的带隙基准电压采用一阶补偿，即通过将两个具有正负温度系数的电压进行线性叠加即可得到零温度系数的基准电压。两个双极型三极管的基极-发射极电压的差值是与绝对温度成正比的，双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数性质，利用这两种不同性质的电压配以一定的比例得到与温度变化无关的基准电压。然而随着集成电路技术的发展，对基准电压产生电路的输出稳定性也提出了更高的要求，这种结构的基准电压产生电路的输出稳定性已经远远不够。后来为了进一步降低温漂系数，又发展了一些其他方式对带隙基准进行补偿，如采用不同温度系数电阻补偿、分段补偿、指数补偿等。但是，采用不同温度系数电阻补偿受到工艺的影响比较大；分段补偿通常分为三段，电路结构较复杂，占用版图面积较大；指数曲率补偿是通过MOS管的亚阈值区电流的指数相关性进行补偿的，整个电路的输出精度不够，稳定性也不够好。基于此，本发明提供了一种具有更高稳定性的基准电压产生电路。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有基准电压产生电路产生的电压稳定性不够高的问题，提供了一种具有更高稳定性的基准电压产生电路。

本发明提供了一种高稳定性的基准电压产生电路，包括MOS管M1~M12、电阻R1~R6和三极管Q1、Q2，所述MOS管M5、M6、M7的源极连接电源电压VDD且栅极均相连，MOS管M5的漏极连接电阻R5的一端和MOS管M3、M4的栅极，电阻R5的另一端连接M3的漏极以及MOS管M1、M2的栅极，MOS管M1的漏极连接M3的源极，MOS管M1的源极接地；MOS管M6的栅极、漏极相连并连接MOS管M4的漏极，MOS管M2的漏极连接MOS管M4的源极以及MOS管M8的漏极；电阻R6的一端连接MOS管M2的源极，另一端接地；MOS管M8~M12的源极均连接MOS管M7的漏极，MOS管M9的漏极连接M8的栅极以及三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接地；MOS管M9、M10的栅极相连并连接M10的漏极以及三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地，三极管Q2的发射极即为基准电压输出端VREF；电阻R1一端连接MOS管M12的漏极和三极管Q2的基极，另一端连接三极管Q1的基极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；MOS管M11、M12的栅极相连并连接MOS管M11的漏极和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。所述MOS管M1~M4为NMOS管，所述MOS管M5~M12为PMOS管。

本发明所提供的一种高稳定性的基准电压产生电路，有效地解决了现有技术中基准电压源温度系数高、稳定性差的问题，在传统基准电压产生电路的基础上进行改进，降低了输出电压的温度系数，具有较高的输出稳定性。

附图说明

图1为本发明提供的一种高稳定性的基准电压产生电路示意图。

图2为本发明提供的一种高稳定性的基准电压产生电路输出电压的温度特性曲线。

具体实施方式

本发明提供了一种高稳定性的基准电压产生电路，为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。