[发明专利]一种埋容基板在审
申请号: | 201810462709.1 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN108650786A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 韩建华;欧宪勋;罗光淋;程晓玲;王君鹏;林艳 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H05K1/16 | 分类号: | H05K1/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 内侧金属层 第二电极 外侧金属层 第一电极 软性材料 基板 埋容 埋层 粘结 | ||
本发明涉及一种埋容基板。本发明所揭示的埋层基板包含第一电极层和第二电极层;以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的软性材料;其中所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层,所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结,所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合。
技术领域
本发明大体涉及半导体制造技术,特别是将电容元件内置于基板内部的埋入式电容技术。
背景技术
将电容元件内置于基板内部的埋入式电容技术是电子系统小型化的一种重要的解决方案,其通常被用于麦克风和可穿戴电子产品中,起到滤波、定时、解耦以及电能量存储的作用。其主要优点在于可以提高电子系统的稳定性和可靠性,降低产品的成本和缩小产品的物理尺寸。
发明内容
目前业界(例如3M、Faradflex等国外公司)所开发的电容材料提供的均是两层35μm或70μm铜箔夹着一层厚度≤20μm(最小通常可为3μm)的超薄电介质材料(如图1所示,其中的电介质材料是厚度为6μm的厚埋容材料),该电容材料通常为产业上游供应厂商已经制备成形的来料,但也可由下游封装测试厂商自行制备。
然而,对包含超薄电介质材料的电容材料进行加工往往十分困难。由于缺乏(例如玻璃纤维等)支撑结构对电容材料提供有效支撑,在电容基板制作工艺中,经常不可避免地遇到电容材料皱折、破损与卡板等诸多问题,导致在面临基板厂的设备及来料处置等一系列要求近乎严苛的条件时,现有技术无法有效地解决因电容层皱折、破损与卡板等而导致的产品制程报废或产品性能下降等技术问题。并且,对包含(除电容材料以外的)软性夹层的其他层叠结构进行加工,也面临着同样的技术问题。
有鉴于此,本发明提供一种埋容基板及其加工方法,以期有效解决由软性夹层(例如电容层)的皱折所导致的产品制程报废或产品性能下降等技术问题,从而提升产品产率。
本发明的一实施例提供一种加工埋层基板的方法,所述方法包含形成第一埋层结构,其包含第一软性材料、第一电极层和第二电极层,其中所述第一电极层和所述第二电极层设置在第一软性材料两侧,所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层,所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结,所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合并可分离;形成第二埋层结构,其包含第二软性材料、第三电极层和第四电极层,其中所述第三电极层和所述第四电极层设置在第二软性材料两侧,所述第四电极层包含第二内侧金属层和第二外侧金属层,所述第二内侧金属层与所述第二软性材料粘结,所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合并可分离;在所述第一埋层结构的所述第一外侧金属层和所述第二埋层结构的所述第二外侧金属层之间插入支撑载板;压合所述第一埋层结构、所述支撑载板和所述第二埋层结构极,使得所述第一外侧金属层和所述第二外侧金属层分别与所述支撑载板紧密接合;在所述第一埋层结构的所述第一电极层上依次形成第一图形线路、第一支撑层和第一金属层,以形成第三埋层结构;在所述第二埋层结构的所述第三电极层上依次形成第二图形线路、第二支撑层和第二金属层,以形成第四埋层结构;去除所述支撑载板,使得所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层分离,且所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层可分离;以及基于所述第三埋层结构和所述第四埋层结构形成其他图形线路。
根据本发明的另一个实施例,所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合后可机械分离。
根据本发明的另一个实施例,所述第二外侧金属层与所述第二内侧金属层结合后可机械分离。
根据本发明的另一实施例,一种埋层基板包含:第一电极层和第二电极层;以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的软性材料;其中所述第二电极层包含第一内侧金属层和第一外侧金属层,所述第一内侧金属层与所述第一软性材料粘结,所述第一外侧金属层与所述第一内侧金属层结合。
本发明提供的埋容基板及其加工方法不仅无需对基板厂的设备工艺提出任何特殊要求即可顺利完成生产,而且一次线路工艺可同时对两片基板进行加工,从而使产能得以提升,实现了一举多得的有益技术效果。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体(上海)有限公司,未经日月光半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810462709.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。