[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及电子设备有效
申请号: | 201810462553.7 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN108777434B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 张威 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/042 |
代理公司: | 11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许志勇;刘昕 |
地址: | 523857 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直腔面发射激光器 激光灯 基板 第一极 激光 电连接 电子设备 驱动芯片 功率模式 选择控制 有效解决 功耗 亮灭 漏极 引脚 源极 驱动 | ||
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及电子设备,其包括激光基板、驱动芯片、M个激光灯珠和N个MOS管,M个激光灯珠的第一极与激光基板的第一极电连接,激光灯珠的第一极与激光基板的第一极的极性相同;一个MOS管的栅极与驱动芯片对应的一个驱动引脚电相连,一个MOS管的漏极和源极中的一极与激光基板的第二极电连接,另一极与一个激光灯珠的第二极电连接;激光基板的第二极与激光灯珠的第二极的极性相同。因此,本发明提供的垂直腔面发射激光器可以选择控制所需数量的激光灯珠的亮灭,以使得垂直腔面发射激光器可以任意切换功率模式,有效解决了现有技术中垂直腔面发射激光器一直处于大功率模式所带来的功耗较高的问题。
技术领域
本发明实施例涉及激光器技术领域,尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及电子设备。
背景技术
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL),是以砷化镓半导体材料为基础研制的,具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点,可广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。
目前的VCSEL的微观结构如下:如图1所示,通过激光制作工艺在晶圆中生成一颗颗的激光灯珠1,并在晶圆中通过金线将所有的激光灯珠1的阳极并联在一起,再将晶圆封装在VCSEL模组基板2上,并通过金线将阳极连接到VCSEL模组基板2中的阳极。
目前的VCSEL的所有灯珠的阳极均连接到VCSEL模组基板的阳极,所有灯珠的阴极均连接到VCSEL模组基板的阴极。一旦开启VCSEL模组,所有的灯珠都会被点亮。而每个灯珠的开启所需电流通常为1~3mA,一个普通的VCSEL模组通常有数百个灯珠,因此,该VCSEL模组的开启电流至少需要数百mA,对于采用该VCSEL的移动设备来说不容易做到低功耗。
发明内容
本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器及电子设备,用于解决现有的垂直腔面发射激光器功耗较高的问题。
为了解决上述技术问题,本发明是这样实现的:第一方面,本发明提供了一种垂直腔面发射激光器,包括:
激光基板,所述激光基板具有第一极和第二极;
驱动芯片,所述驱动芯片具有至少N个驱动引脚,N为大于1的正整数;
M个激光灯珠,所述M个激光灯珠的第一极与所述激光基板的第一极电连接,所述激光灯珠的第一极与所述激光基板的第一极的极性相同,M为大于1的正整数;
N个MOS管,所述N个MOS管与所述至少N个驱动引脚一一对应,一个所述MOS管的栅极与所述驱动芯片对应的一个驱动引脚电连接,一个所述MOS管的漏极和源极中的一极与所述激光基板的第二极电连接,另一极与一个所述激光灯珠的第二极电连接,所述激光基板的第二极与所述激光灯珠的第二极的极性相同;
其中,所述驱动芯片用于向所述MOS管的栅极提供高电平或低电平,控制所述MOS管的导通或关断,以控制与所述MOS管连接的所述激光灯珠的亮或灭。
第二方面,本发明提供了一种电子设备,包括:上述所述的垂直腔面发射激光器。
本发明实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:
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