[发明专利]一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器

说明书

本发明公开了一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器，涉及集成电路技术领域，通过在POMS管M1输入复位信号PWD，对点X1、点X2、点Y1、点Y2进行充电，使得X1＝X2＝Y1＝Y2＝1；充电完成后，组合逻辑电路的输出信号Co进入延时电路的输出信号GB保护带时，进入检测部分，当组合逻辑电路未发生老化时，或非门输出低电平；当组合逻辑电路发生老化时，或非门输出高电平；当组合逻辑电路发生老化时注入软错误时仍能检测出组合逻辑电路发生老化，即或非门输出高电平。本发明优点在于：能够在组合逻辑电路发生老化时注入软错误还是组合逻辑电路未发生老化时注入软错误都能有效检测出正确的信号，并节省面积开销。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，更具体涉及一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器。

背景技术

随着半导体技术的发展，集成电路尺寸减小，电路老化引起的可靠性问题越来越严重。在集成电路老化预测研究方面，国内学者已经提出了许多的老化预测传感器结构，老化预测传感器主要包括延迟单元和稳定性检测器结构，现有的较成型的老化传感器中都有着相同的问题，就是关于或非门输入端会有很大概率发生软错误，并且对电路造成严重的影响。

现有的稳定性检测器结构大多数都存在面积开销较大，关键点处于浮空状态而易受到外界环境的干扰等缺点。一般稳定性校验器的结构如图1所示，当关键节点X、Y处高能粒子击翻即发生软错误时，通过或非门后将输出错误信号，即当关键点X、Y发生错误时并不能输出正确的检测信号。

图2中为稳定性校验器关键节点未发生软错误时的检验情况，V(co)第一周期组合逻辑电路未发生老化时的输出信号，第二个周期为组合逻辑电路已发生老化时的输出信号，V(out)为稳定性校验器的检测信号。图3为在文献[1]《Khachatryan A.A novel agingsensor with programmable resolution》(East-West DesignTest Symposium(EWDTS),2017 IEEE.IEEE,2017:1-4)的老化预测传感器发生软错误但未发生老化的仿真图；图4为文献[2]《 J,Saraiva D,Leong C,et al.Performance sensor for toleranceand predictive detection of delay-faults》(Defect and Fault Tolerance in VLSIand Nanotechnology Systems(DFT),2014 IEEE International Symposium on.IEEE,2014:110-115)的老化预测传感器发生软错误时并且发生老化；图3和图4为稳定性校验器关键节点发生软错误时的检验情况，在第一个周期中，电路未发生老化，V(out)本应输出低电平，由于软错误发生输出错误信号高电平；第二周期中，电路已发生老化，V(out)本应输出高电平，由于软错误发生输出错误信号，由高电平跳变为低电平。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于现有稳定性校验器的关键节点发生软错误时，稳定性校验器并不能输出正确的检测信号。

本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的，具体技术方案如下：

一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器，包括：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第一C单元、第二C单元、第一反相器P、第二反相器Q、或非门；