[发明专利]一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极；所述底层导电电极厚度为50～500 nm，所述GeTe薄膜介质层厚度为5～200 nm，所述顶层导电电极厚度为50～500 nm；所述顶层导电电极由Pt制成；通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能；其制备工艺包括：采用磁控溅射的方法在底层导电电极上表面制备GeTe薄膜介质层，溅射靶材为GeTe靶，采用射频溅射，衬底温度为300K，反应气体为氩气，控制真空室内的气压为4Torr，射频溅射功率为120W；其中：所述底层导电电极由FTO、ITO、ZTO、TaN或TiN制成。

2.根据权利要求1所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述底层导电电极形状为圆形或者矩形，直径或边长为10 nm～100μm。

3.根据权利要求1所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层形状为圆形或者矩形，直径或边长为10 nm～100μm。

4.根据权利要求1所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述顶层导电电极形状为圆形或者矩形，直径或边长为10 nm～100μm。

5.一种权利要求1～4任一项所述的基于GeTe的互补型阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

在基底上制备所述底层导电电极；在底层导电电极上表面制备GeTe薄膜介质层；在GeTe薄膜介质层上表面镀上顶层导电电极；其中具体包括：

采用磁控溅射的方法在底层导电电极FTO、ITO、ZTO、TaN或TiN上表面制备GeTe薄膜介质层，溅射靶材为GeTe靶，采用射频溅射，衬底温度为300K，反应气体为氩气，控制真空室内的气压为4Torr，射频溅射功率为120W；

采用磁控溅射的方法在GeTe薄膜介质层上表面制备Pt顶层导电电极，溅射靶材为Pt靶，采用直流溅射，衬底温度为300K，反应气体为氩气，控制真空室内的气压为4Torr，直流溅射功率为100W。