[发明专利]应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法

权利要求书

1.应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是包括如下步骤：

（1）通过流延工艺获得氧化铝生瓷带；

（2）配制满足丝网印刷的WCu金属化浆料和W金属化浆料；选择1μm以下的超细铜粉、0.7～2μm的金属钨粉作为导电相，以乙基纤维素、松油醇、DBP、CS12有机介质作为载体，以金属氧化物、非金属氧化物、镁硅酸盐、金属氧化物前驱体中的一种或者几种无机材料作为粘结相，通过搅拌的方式将导电金属和粘结相分散在有机载体中分别配制WCu金属化浆料和W金属化浆料；

（3）将WCu金属化浆料印制在氧化铝生瓷带表面，并置于45℃的烘箱中烘干2min，在生瓷带表面形成均匀的WCu金属化膜层；

（4）采用相同的印刷图形，在步骤（3）中得到WCu金属化图形表面再印刷一层W金属化浆料层，并置于45℃的烘箱中烘干2min；

（5）采用层压叠片工艺实现多层氧化铝生瓷带结合得到金属化层；

（6）通过生切和烧结获得单个熟瓷瓷件。

2.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的步骤（1）中的流延工艺为利用无水PVB体系的氧化铝流延工艺。

3.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的步骤（5）包括将生瓷带在0.1~1.0KPSI压力下叠片层压，并将制备的氧化铝多层陶瓷在35~75℃下热切成单个单元。

4.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的步骤（6）包括将步骤（5）中获得的单个单元放置于Mo板上，在1000～1600℃还原性气氛下烧结，获得单个熟瓷瓷件。

5.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的氧化铝生瓷带为白瓷生瓷带或者黑瓷生瓷带。

6.根据权利要求1所述的应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，其特征是所述的金属化层的厚度为10~30μm。