[发明专利]一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器的制备方法

权利要求书

1.一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器的制备方法，其特征在于：

所述宽探测波段双重等离子工作光电探测器是以n-型硅片为衬底(1)；在所述衬底(1)的上表面形成有第一层金纳米颗粒层(2)，在所述第一层金纳米颗粒层(2)上转移有一层石墨烯层(3)，在所述石墨烯层(3)上形成有第二层金纳米颗粒层(4)，使得两层金纳米颗粒层之间通过石墨烯层隔开；在所述第二层金纳米颗粒层(4)上设置有顶电极(5)；在所述衬底(1)的下表面设置有底电极(6)；

所述宽探测波段双重等离子工作光电探测器的制备方法，包括如下步骤：

a、将n-型硅片依次使用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗，然后使用氮气吹干，作为衬底备用；

b、将衬底放入到电子束沉积腔室中，在衬底上表面蒸镀5nm金薄膜，然后冷却至室温，取出并放入快速退火炉中，在氩气环境中500℃退火30分钟，使金薄膜退火成为由金纳米颗粒均匀分布构成的第一层金纳米颗粒层；

c、在第一层金纳米颗粒层上转移一层石墨烯，然后在60℃下烘烤5min，以增强石墨烯的粘附性；

d、将衬底再次放入到电子束沉积腔室中，在石墨烯层上蒸镀5nm的金薄膜，然后冷却至室温，取出并放入快速退火炉中，在氩气环境中250℃退火30分钟，使金薄膜退火成为由金纳米颗粒均匀分布构成的第二层金纳米颗粒层；

e、利用银浆分别从衬底的下表面和第二层金纳米颗粒层的顶部引出底电极和顶电极，即完成宽探测波段双重等离子工作光电探测器的制备。