[发明专利]激光晶化装置

说明书

本发明公开一种激光晶化装置。激光晶化装置包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模(phase shift mask)，用于使出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射出射激光束来被激光晶化。

技术领域

本发明涉及一种晶化装置，更具体而言，涉及一种激光晶化装置。

背景技术

一般而言，非晶硅(Amorphous Silicon)具有作为电荷载体的电子的迁移率低的缺点。相反，多晶硅(Polycrystalline Silicon)使得无法在基板上实现的由非晶硅制造的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的驱动电路能够实现在基板上。因此，由于由多晶硅制造的薄膜晶体管直接形成在基板上，不需要多个端子与驱动集成电路(Driver IC)之间的连接，从而能提高生产率和可靠性并能减小显示装置的厚度。

作为在低温条件下制造多晶硅薄膜晶体管的方法，一般利用准分子激光热处理法(Excimer Laser Annealing，ELA)。特别是，在有机发光显示装置(Organic LightEmitting display，OLED)或液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)的制造工艺中使用准分子激光热处理法(ELA)，该准分子激光热处理法利用具有高能量的激光束来进行晶化。

这种准分子激光热处理法(ELA)的激光晶化装置中使用的激光发生器为脉冲型激光发生器，射程(shot)之间的强度(intensity)均匀度很重要。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种利用相移掩模来减少出射激光束的峰值强度(peakintensity)偏差的激光晶化装置。

本发明的另一目的在于提供一种利用相移掩模及厚度不均匀的分束器来减少出射激光束的峰值强度偏差的激光晶化装置。

但是，本发明的目的并不限定于上述目的，在不脱离本发明的思想及领域的范围内能够进行各种扩展。

为了实现本发明的一目的，本发明的实施例的激光晶化装置可包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对所述入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模(phase shift mask)，用于使所述出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射所述出射激光束而被激光晶化。

根据一实施例，所述相移掩模可包括石英掩模，所述石英掩模被配置在作为所述出射激光束行进的方向的第一方向上且具有多个蚀刻部分。

根据一实施例，所述蚀刻部分在所述第一方向上的深度可不均匀。

根据一实施例，可在通过所述蚀刻部分的所述出射激光束的波长与通过所述石英掩模的未蚀刻部分的所述出射激光束的波长之间产生相位差。

根据一实施例，所述相移掩模可进一步包括电介质层，所述电介质层被配置在所述石英掩模的未蚀刻部分的至少一部分上。

根据一实施例，所述石英掩模的折射率和所述电介质层的折射率可彼此不同。

根据一实施例，所述光学系统可包括：分束器(splitter)，用于反射光束的一部分并使所述光束的剩余部分透射；以及多个反射镜(mirrors)，用于使所反射的所述光束的全部被反射。所述光学系统可利用所述分束器和所述反射镜来输出多个出射光束，并且通过混合所述出射光束来生成所述出射激光束。

根据一实施例，所述分束器可包括：第一平面，被照射所述入射激光束；以及第二平面，与所述第一平面的对面对应。所述分束器的所述第一平面与所述第二平面之间的厚度可不均匀。