[发明专利]基板清洗装置及基板处理装置有效
| 申请号: | 201810450204.3 | 申请日: | 2018-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN108878314B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
| 发明(设计)人: | 中野央二郎;国泽淳次 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 张丽颖 |
| 地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗 装置 处理 | ||
本发明公开基板清洗装置。在一实施方式中,基板清洗装置具备:第一轴群,该第一轴群包含第一驱动轴和惰轮轴,该第一驱动轴具有使基板旋转的第一驱动辊,该惰轮轴具有通过基板而旋转的从动辊;第二轴群,该第二轴群包含多个第二驱动轴,该多个第二驱动轴分别具有使基板旋转的第二驱动辊;清洗机构,该清洗机构对通过第一驱动辊及多个第二驱动辊而旋转的基板进行清洗;以及旋转检测部,该旋转检测部对从动辊的转速进行检测,从动辊位于与基板通过清洗机构而受到力的方向相反的一侧。
技术领域
本发明涉及基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法。
本申请基于2017年5月16日在日本申请的专利2017-097621号而主张优先权,将其内容援引于此。
背景技术
在以往,已知一种如下述的日本专利第4937807号公报所示的用于基板处理装置的基板清洗装置。基板清洗装置具备:在第一轴群与第二轴群之间一边保持基板(例如,圆形形状的半导体基板或半导体晶片)一边使基板旋转的基板保持旋转机构;以及清洗基板的清洗机构。第一轴群及第二轴群分别具备两个使基板旋转的驱动轴。由共计四个驱动轴来一边保持基板一边使基板旋转,通过清洗机构清洗基板。
另外,在这种基板清洗装置中,为了使清洗后的基板的品质稳定,即,不仅对于基板的中心附近还包含周缘部,尽可能地不产生清洗后的基板上的颗粒附着这一担忧,要求精度良好地测定基板的转速。作为测定基板的转速的方法,在日本特开平10-289889号公报中公开了如下结构:基板的外周缘与从动辊抵接,使从动辊与狭缝板一体地旋转,检测狭缝板的旋转状态。
然而,近年来,由于半导体基板的细微化在发展,对于以往未成为课题的细微的附着物,也要求尽可能地从基板上除去。因此,为了消除清洗基板后的颗粒附着这一担忧,要求更高水准的清洗时的基板清洗过程的管理。
例如,如上述日本特开平10-289889号公报的基板清洗装置可知,在通过检测从动辊的转速而间接地检测基板的转速的结构中,虽至今未成为通常问题,但在从动辊与基板之间产生的滑动成为使基板的转速的检测精度下降的主要原因。滑动引起的基板的转速的检测精度下降成为招致清洗性不均匀的原因之一。因此,为了抑制这样的滑动的发生,例如,使对于从动辊的基板的按压力变大是有效的。
另一方面,在例如日本专利第4937807号公报的基板清洗装置中,如前所述,使各轴50的保持旋转部52与基板W的周缘部抵接,对基板W进行保持(参照同文献图9)。在如该日本专利第4937807号公报所示的四个驱动辊中,若保持旋转部对基板W进行保持的保持力不均等,则保持于保持旋转部的基板W的旋转不稳定,有基板W的清洗等的处理效率下降的担忧。此外,假设在以较强的按压力使用于测定基板的转速的从动辊与基板抵接的情况下,则有施加于基板的力的平衡被破坏,招致基板的变形等的情况。进一步,假设若使与基板接触的辊的数量增加,则伴随清洗而附着于辊的污垢再次附着于基板,容易产生基板被污染的现象。
基于如上理由,近年来对于半导体基板所要求的清洗水平进一步提高,为了回应这样的要求,在由基板清洗装置连续地清洗多个基板的情况下,使基板清洗装置所使用的基板的清洗的品质稳定,同时精度良好地测定基板保持旋转机构的基板的转速变得不容易。
发明内容
本发明是考虑这样的情况而完成的,其提供能够使基板的清洗的品质稳定,同时使用从动辊精度良好地测定基板的转速的基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法。
本发明的第一方式是基板清洗装置,基板清洗装置具备:第一轴群,该第一轴群包含第一驱动轴和惰轮轴,该第一驱动轴具有使基板旋转的第一驱动辊,该惰轮轴具有通过所述基板而旋转的从动辊;第二轴群,该第二轴群包含多个第二驱动轴,该多个第二驱动轴分别具有使基板旋转的第二驱动辊;清洗机构,该清洗机构对通过所述第一驱动辊及多个所述第二驱动辊而旋转的所述基板进行清洗;以及旋转检测部,该旋转检测部对所述从动辊的转速进行检测,所述从动辊位于与所述基板通过所述清洗机构而受到力的方向相反的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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