[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201810449833.4 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473886A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈路 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 基底 导体层 挡光 开口 半导体元件 制作工艺 电连接 暴露 垫层 接垫 填入 制造 覆盖 损害 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，其中在所述基底的第一面上具有第一介电层结构，在所述基底的相对于所述第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在所述第一介电层结构中具有导体层；
在所述第二介电层结构中形成暴露出所述基底且位于所述导体层上方的第一开口；
在所述第二介电层结构上形成挡光结构；
形成覆盖所述挡光结构且填入所述第一开口的介电层；
在所述介电层与所述基底中形成暴露出所述导体层的第二开口；以及
在所述第二开口中形成电连接至所述导体层的接垫层。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一开口的形成方法包括：
在所述第二介电层结构上形成具有第三开口的图案化光致抗蚀剂层；以及
以所述图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分所述第二介电层结构。
3.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一开口的形成方法还包括：
在移除部分所述第二介电层结构之前，对所述图案化光致抗蚀剂层进行修剪制作工艺。
4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述挡光结构包括金属栅格。
5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述挡光结构还形成在所述第一开口的侧壁上。
6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括在所述第二介电层结构中形成暴露出所述基底的第四开口。
7.如权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其中所述第四开口与所述第一开口由同一道光刻蚀刻制作工艺形成。
8.如权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其中所述挡光结构还形成在所述第四开口中。
9.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述第二开口与所述第一开口通过相同或不同光掩模形成。
10.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，其中在所述基底上具有介电层结构，且在所述介电层结构中具有导体层；
在所述介电层结构中形成暴露出所述导体层的第一开口；
在所述介电层结构上形成挡光结构；
形成覆盖所述挡光结构且填入所述第一开口的介电层；
在所述介电层中形成暴露出所述导体层的第二开口；以及
在所述第二开口中形成电连接至所述导体层的接垫层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
