[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种对被处理体进行蚀刻的蚀刻方法。

背景技术

等离子体蚀刻作为一种使用等离子体处理装置进行的被处理体的等离子体处理而被人们所知。等离子体蚀刻所使用的抗蚀剂掩模通过光刻技术形成，形成于被蚀刻层的图案的极限尺寸依赖于通过光刻技术形成的抗蚀剂掩模的分辨率。但是，抗蚀剂掩模的分辨率存在分辨限度。对电子器件的高集成化的要求越来越高，要求形成比抗蚀剂掩模的分辨限度小的尺寸的图案。例如对SiC(碳化硅)的被处理体进行的蚀刻的技术公开在专利文献1、2和非专利文献1中。在专利文献1公开了使用CCl₂F₂和Ar的混合气体来对SiC进行反应性离子束蚀刻的蚀刻方法。在专利文献2公开了使用含SF₆气体的气体对SiC进行蚀刻的方法。在非专利文献1公开了使用包含CF₄气体、SF₆气体、N₂气体的混合气体来对SiC进行蚀刻的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平07-193044号公报

专利文献2：日本特开平11-72606号公报

非专利文献

非专利文献1：“Reactive Ion Etching of 6H-SiC in SF6/02and CF4/02withN₂ Additive for Device Fabrication”，R.Wolf and R.Helbig，J.Electrochem.Soc.，Vol.143，No.3，March 1996。

发明内容

发明要解决的技术问题

在由于与近年来的电子器件的高集成化相伴的精细化而使被处理体上的图案形成不断发展的情况下，要求高精度的最小线宽(CD：Critical Dimension)的控制。在对SiC层垂直地设置细孔缝隙的情况下，存在为了获得与掩模的选择比而使用Cl₂类气体或者HBr类气体的情况，但是，金属部分有可能被Cl₂类气体或者HBr类气体腐蚀。在使用NF₃类气体的情况下，能够抑制金属部分的腐蚀，但是，导致选择比的降低。虽然存在通过使用堆积性的含碳的气体来获得与掩模的选择比的情况，但是，因含碳的气体而产生的堆积物有可能引起细孔缝隙的开口的堵塞。因此，期望在对含碳化硅的被处理体进行蚀刻的情况下能够适当地提高选择比的技术。

用于解决技术问题的技术方案

在一个方式中，提供一种对被处理体进行的蚀刻方法，该被处理体包括第一区域和与该第一区域相接的第二区域，该蚀刻方法具有包括以下步骤的流程：第一步骤，在收纳被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该第一气体的等离子体所含的离子的混合层；第二步骤，在实施了第一步骤之后，对处理容器内的空间进行吹扫；第三步骤，在实施了第二步骤之后，在处理容器内生成第二气体的等离子体，通过该第二气体的等离子体所含的自由基来除去混合层；和第四步骤，在实施了第三步骤之后，对处理容器内的空间进行吹扫，通过反复实施流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，第一区域包含碳化硅，第二区域包含氮化硅，第一气体包含氮，第二气体包含氟。