[发明专利]电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201810448037.9 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108649131B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 侯文军 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电致发光 器件 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种电致发光器件,其特征在于,所述电致发光器件包括:叠加设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极;

其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,所述空穴传输层为目标膜层,所述目标膜层包括:叠加设置的小分子层和大分子层,所述小分子层的厚度大于所述大分子层的厚度,所述目标膜层通过溶液制程法制备;

在所述空穴传输层中,靠近所述电致发光层的分子层中存在交联网状结构,所述交联网状结构由交联基团形成,所述靠近所述电致发光层的分子层为大分子层,在采用所述溶液制程法制备所述大分子层的过程中,用于制备所述大分子层的溶液的溶质包括大分子以及所述交联基团。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述小分子层和所述大分子层的最高已占轨道HOMO能级沿所述电致发光器件中的空穴传输方向依次升高。

3.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,

在所述空穴传输层中,靠近所述电致发光层的分子层具有4.6电子伏特的HOMO能级,远离所述电致发光层的分子层具有4.76电子伏特的HOMO能级。

4.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,

所述目标膜层包括至少一个所述小分子层和至少一个所述大分子层,且所述小分子层和所述大分子层一一间隔设置。

5.根据权利要求1至4任一所述的电致发光器件,其特征在于,

所述大分子层的材质为聚噻吩,所述小分子层的材质为乙烯二氧噻吩。

6.根据权利要求1至4任一所述的电致发光器件,其特征在于,

所述第一电极和所述第二电极的材质均为氧化铟锡,所述电子传输层的材质为氧化钨,所述电子注入层的材质为氧化钼,所述空穴注入层的材质为氧化钒。

7.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

在衬底基板上形成电致发光器件,所述电致发光器件包括:叠加的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极;

其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,所述空穴传输层为目标膜层,所述目标膜层包括:叠加设置的小分子层和大分子层,所述小分子层的厚度大于所述大分子层的厚度,所述目标膜层通过溶液制程法制备;

在所述空穴传输层中,靠近所述电致发光层的分子层中存在交联网状结构,所述交联网状结构由交联基团形成,所述靠近所述电致发光层的分子层为大分子层,在采用所述溶液制程法制备所述大分子层的过程中,用于制备所述大分子层的溶液的溶质包括大分子以及所述交联基团。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成电致发光器件,包括:

所述小分子层和所述大分子层的HOMO能级沿所述电致发光器件中的空穴传输方向依次升高。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,

在所述空穴传输层中,靠近所述电致发光层的分子层具有4.6电子伏特的HOMO能级,远离所述电致发光层的分子层具有4.76电子伏特的HOMO能级。

10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成电致发光器件,包括:

形成叠加设置的第一电极和空穴注入层;

在所述空穴注入层上形成所述空穴传输层中的小分子层;

在所述一种小分子层上形成预设溶液,所述预设溶液的溶质包括:交联基团,以及所述空穴传输层中大分子层中的分子;

对所述预设溶液进行干燥成膜处理,以使得所述预设溶液中的溶剂蒸发,形成所述空穴传输层中的大分子层,所述大分子层中存在由所述交联基团形成的交联网状结构;

在所述大分子层上形成叠加设置的电致发光层、所述电子传输层、电子注入层和第二电极。

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