[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、其制造方法和包括其的电子器件

权利要求书

1.半导体纳米晶体颗粒，其包括

锌，

碲，和

硒，

其中碲的量小于硒的量，

所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同组成的第二半导体材料的壳，和

所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于470纳米(nm)的波长处的最大发射峰的蓝色光。

2.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中碲对硒的摩尔比小于或等于0.05:1。

3.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中碲对硒的摩尔比小于0.024:1。

4.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中锌的量大于硒的量。

5.如权利要求4所述的半导体纳米晶体颗粒，其中碲对锌的摩尔比小于或等于0.03:1。

6.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中基于所述半导体纳米晶体颗粒的总重量，碲的量小于或等于1重量％。

7.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述第一半导体材料包括ZnTe_xSe_1-x

其中x大于0且小于或等于0.05。

8.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述芯的尺寸大于或等于2纳米。

9.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述第二半导体材料包括锌、硒、和硫。

10.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述壳包括多个层并且所述多个层的相邻的层包括不同的半导体材料。

11.如权利要求10所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述壳包括

直接设置在所述芯上的第一层，和

最外层，

其中所述第一层包括ZnSeS且所述最外层包括ZnS。

12.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述半导体纳米晶体颗粒发射具有在430纳米-470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。

13.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述最大发射峰具有小于或等于50纳米的半宽度。

14.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述半导体纳米晶体颗粒具有大于或等于60％的量子效率。

15.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。

16.如权利要求1所述的半导体纳米晶体颗粒，其中所述半导体纳米晶体颗粒具有多脚形状。

17.制造如权利要求1-16任一项所述的半导体纳米晶体颗粒的方法，其包括

制备包括锌前体和有机配体的锌前体溶液；

将所述锌前体溶液在第一反应温度下加热并且向其添加硒前体和碲前体、和任选地添加有机配体，以形成包括锌、硒、和碲的第一半导体纳米晶体芯；

制备包括包含金属的第一壳前体和有机配体的第一壳前体溶液；和

将所述第一壳前体溶液在第二反应温度下加热并且向其添加所述第一半导体纳米晶体芯和第二壳前体以在所述第一半导体纳米晶体芯上形成第二半导体纳米晶体的壳，所述第二壳前体包括非金属元素。