[发明专利]偏置脉冲CMP沟槽图案

权利要求书

1.一种抛光垫，其适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片，所述抛光垫包括以下：

具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸到所述外边缘的半径；

位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域，所述径向进料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸至邻近于所述抛光垫的所述外边缘的位置；和

每个抛光区域，其包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽，大多数的所述偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的所述中心或向外偏向所述抛光垫的所述外边缘，所述向内与向外偏置沟槽均用于抛光液向所述抛光垫的所述外边缘移动，并且移向所述晶片或远离晶片取决于向内偏置或向外偏置和所述抛光垫的旋转方向，其中所述偏置沟槽总数目是所述径向进料槽总数目的至少十五倍。

2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所有抛光区域都具有相同的所述偏置。

3.根据权利要求1所述的抛光垫，包括向内偏置，用于在所述抛光垫和晶片的逆时针旋转期间延长浆液在所述晶片下的滞留时间。

4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述抛光垫包括至少三个径向进料槽。

5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中连接一对相邻径向进料槽的所述系列偏置沟槽是平行线性沟槽。

6.一种抛光垫，其适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片，所述抛光垫包括以下：

具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸到所述外边缘的半径；

位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域，所述抛光区域是由两个相邻径向进料槽、平分所述抛光区域的偏向线所界定的圆扇区，所述径向进料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸到邻近于所述外边缘的位置；和

每个抛光区域，其包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽，大多数的所述偏置沟槽按与所述平分线成20°至85°的角向内偏向所述抛光垫的所述中心或按与所述平分线成95°至160°的角向外偏向所述抛光垫的所述外边缘，所述向内和向外偏置沟槽均用于抛光液向所述抛光垫的所述外边缘的移动，并且移向所述晶片或远离所述晶片取决于向内偏置或向外偏置和所述抛光垫的旋转方向，其中所述偏置沟槽总数目是所述径向进料槽总数目的至少十五倍。

7.根据权利要求6所述的抛光垫，其中所有抛光区域都具有相同的所述偏置。

8.根据权利要求6所述的抛光垫，包括向内偏置，用于在所述抛光垫和晶片的逆时针旋转期间延长浆液在所述晶片下的滞留时间。

9.根据权利要求6所述的抛光垫，其中所述抛光垫包括至少三个径向进料槽。

10.根据权利要求6所述的抛光垫，其中连接一对相邻径向进料槽的所述系列偏置沟槽是平行线性沟槽。