[发明专利]存储设备及其操作方法

说明书

一种包括非易失性存储器设备的存储设备的操作方法，所述方法包括：进入通电模式；从非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；如果开放存储器块中包括的擦除字线的数量不大于预设值，则向至少一条擦除字线施加编程电压以关闭开放存储器块；以及在通电模式之后，进入正常操作模式。连接到被施加所述编程电压的所述至少一条擦除字线的存储器单元被编程为具有高于擦除状态的阈值电压分布范围的阈值电压分布范围。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0070862的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体存储器，更具体地涉及一种存储设备及其操作方法。

背景技术

存储设备是指在主机设备(例如，计算机、智能电话和智能平板)的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在半导体存储器(特别是非易失性存储器)中的设备。

半导体存储器设备被分类为：易失性存储设备，其在断电时丢失存储在其中的数据，例如静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DR AM)和同步DRAM；和非易失性存储器设备，其即使在断电时也保留存储在其中的数据，例如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存设备、相变R AM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。随着半导体制造技术的发展，存储设备的集成度和容量不断增加。存储设备的高集成度使得可以降低制造存储设备所需的成本。然而，如果存储设备由于其高集成度而缩小，则会出现各种新问题。由于这些问题导致存储设备中所存储的数据的损坏，所以存储设备的可靠性可能会降低。

发明内容

本公开的实施例提供了一种具有改善的可靠性的存储设备及其操作方法。

根据实施例，一种具有非易失性存储器设备的存储设备的操作方法包括：(a)进入通电模式；(b)从所述非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；(c)如果所述开放存储器块中包括的所述擦除字线的数量不大于预设值，则向所述至少一条擦除字线施加编程电压以关闭所述开放存储器块；以及(d)在所述通电模式之后，进入正常操作模式。连接到被施加所述编程电压的所述至少一条擦除字线的存储器单元被编程为具有高于擦除状态的阈值电压分布范围的阈值电压分布范围。

根据另一实施例，一种存储设备包括：非易失性存储器设备；以及存储器控制器，其向所述非易失性存储器设备发送编程命令。所述存储器控制器在通电模式下向所述非易失性存储器设备发送所述编程命令，所述非易失性存储器设备具有其中包括至少一条擦除字线的开放存储器块。所述非易失性存储器设备通过响应于所述编程命令对所述开放存储器块中包括的所述至少一条擦除字线进行编程来关闭所述开放存储器块。

根据另一实施例，一种存储设备的操作方法包括：(a)进入断电模式；(b)从非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；(c)在所述断电模式下，如果所述开放存储器块中包括的所述擦除字线的数量不大于第一预设值，则对所述开放存储器块中包括的所述至少一条擦除字线进行编程以关闭所述开放存储器块；以及(d)中断所述储存设备的电力。

根据另一实施例，一种由具有非易失性存储器设备的存储设备执行的操作方法包括：(a)标识所述非易失性存储器设备的存储器块中仅寻址处于擦除状态的存储器单元的字线的数量；以及(b)响应于确定所述数量小于预定值，向由所述字线寻址的所述存储器单元中的每个存储器单元施加编程电压。

附图说明

通过参考以下附图的以下描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相似的附图标记在各个附图中指代相似的部件，并且在附图中：