[发明专利]一种具有高势垒插入层的晶体管器件

权利要求书

1.一种具有高势垒插入层的晶体管器件，包括设有沟道层(105)和栅电极(110)的垂直场效应晶体管，其特征在于，在所述沟道层(105)任一表面或沟道层(105)内设有高势垒插入层(104),所述的高势垒插入层(104)与沟道层(105)电性连接且与栅电极(110)绝缘连接，所述的高势垒插入层(104)用于在栅电极(110)的调控下，控制电子在沟道层(105)内的迁移。

2.根据权利要求1所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，所述高势垒插入层(104)为AlGaN插入层。

3.根据权利要求2所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，所述AlGaN插入层为n型掺杂或p型掺杂或不掺杂。

4.根据权利要求2所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，所述AlGaN插入层厚度为T，其范围为1nm≤T≤2μm。

5.根据权利要求2所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，所述AlGaN插入层中Al组分为x，其范围为0.05≤x≤0.95。

6.根据权利要求1所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，包括：依次层叠的漏电极(101)、衬底(102)、耐压层(103)、高势垒插入层(104)、沟道层(105)、接触层(106)，所述沟道层(105)与高势垒插入层(104)电性连接；所述接触层(106)远离沟道层(105)的表面设有源电极(107)；还设有凹槽(108)，所述凹槽(108)自接触层(106)远离沟道层(105)表面向耐压层(103)方向延伸至耐压层(103)内部；所述凹槽(108)内设有栅电极(110)，所述凹槽内表面设置有用于绝缘栅电极(110)的栅介质层(109)。

7.根据权利要求1所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，包括：依次层叠的漏电极(101)、衬底(102)、耐压层(103)、沟道层(105)、高势垒插入层(104)、接触层(106)，所述沟道层(105)与高势垒插入层(104)电性连接；所述接触层(106)远离沟道层(105)的表面设有源电极(107)；还设有凹槽(108)，所述凹槽(108)自接触层(106)远离沟道层(105)表面向耐压层(103)方向延伸至耐压层(103)内部；所述凹槽(108)内设有栅电极(110)，所述凹槽内表面设置有用于绝缘栅电极(110)的栅介质层(109)。

8.根据权利要求1所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，包括：依次层叠的漏电极(101)、衬底(102)、耐压层(103)、沟道层(105)、接触层(106)；所述高势垒插入层(104)平行布置在所述沟道层(105)内，所述沟道层(105)与高势垒插入层(104)电性连接；所述接触层(106)远离沟道层(105)的表面设有源电极(107)；还设有凹槽(108)，所述凹槽(108)自接触层(106)远离沟道层(105)表面向耐压层(103)方向延伸至耐压层(103)内部；所述凹槽(108)内设有栅电极(110)，所述凹槽内表面设置有用于绝缘栅电极(110)的栅介质层(109)。

9.根据权利要求6或7或8所述一种具有高势垒插入层的晶体管器件，其特征在于，所述衬底(102)为n⁺-GaN衬底；所述耐压层(103)为n^--GaN耐压层；所述沟道层(105)为p-GaN沟道层；所述接触层(106)为n⁺-GaN接触层。