[发明专利]熔丝结构及其形成方法

权利要求书

1.一种熔丝结构形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在硅衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层；

步骤二，在硅片表面涂光刻胶，形成熔丝区和焊盘区的光刻胶图形；

步骤三，刻蚀熔丝区的钝化层和焊盘区的钝化层，再对熔丝区的第二介质层进行刻蚀并停止在第一金属层的上表面，形成熔丝通孔和pad通孔；

步骤四，在整个硅片表面淀积一第三介质层，所述第三介质层的厚度与熔丝结构的保护层厚度要求一致；

步骤五，在硅片表面涂光刻胶，并使光刻胶完全填充熔丝通孔和pad通孔；

步骤六，刻蚀光刻胶，直至pad通孔里面的光刻胶被完全刻蚀为止；

步骤七，刻蚀硅片表面的第三介质层，直至pad通孔上的第三介质层被完全刻蚀；

步骤八，去除硅片表面的所有光刻胶，在熔丝通孔内形成U形的第三介质层。

2.根据权利要求1所述的熔丝结构形成方法，其特征在于，在步骤一中，先在硅衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层，然后定义第二金属层，至少在焊盘区保留第二金属层，最后在整个硅片淀积钝化层。

3.根据权利要求1所述的熔丝结构形成方法，其特征在于，在步骤四中，在熔丝通孔的底部和侧壁、pad通孔的底部和侧壁都形成一层第三介质层。

4.根据权利要求1所述的熔丝结构形成方法，其特征在于，在步骤七中，pad通孔内的第三介质层也被完全刻蚀。

5.一种采用权利要求1所述的熔丝结构形成方法制成的熔丝结构，其特征在于，包括在形成于第一介质层上的第一金属层之上为一U形的第三介质层，该第三介质层的底面与第一金属层的顶面相接触，第一金属层为金属熔丝结构，U形的第三介质层为所述金属熔丝结构的保护层。