[发明专利]Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810440012.4 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN108493327A 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 邱宇;张笑桐;方胜利;储怀龙;胡礼中 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01L41/053 分类号: H01L41/053;H01L41/08;H01L41/113;H01L41/27;H01L41/317;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 温福雪;侯明远
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 导电基 压电式纳米发电机 氧化锌纳米线阵列 电极 氧化锌籽晶层 纳米发电机 有机涂覆 封装层 制备 氧化锌纳米线 电流电压 输出性能 制备工艺 输出端 下电极 发电机 覆盖 紧凑 生长
【权利要求书】:

1.一种Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机包括导电基底(1)、氧化锌籽晶层(2)、氧化锌纳米线阵列(3)、Spiro-MeOTAD有机涂覆层(4)、上电极(5)、封装层(6)、引线a(7-1)和引线b(7-1);

所述的导电基底(1)作为发电机的下电极,氧化锌籽晶层(2)生长在导电基底(1)上;所述的氧化锌纳米线阵列(3)以阵列形式生长在氧化锌籽晶层(2)上,氧化锌纳米线阵列(3)的外层由Spiro-MeOTAD有机涂覆层(4)包裹;所述的上电极(5)位于氧化锌纳米线阵列(3)的上方;所述的引线a(7-1)和引线b(7-1)分别连接在上电极(5)和导电基底(1)上,作为电流电压的输出端;所述的封装层(6)设置在上电极(5)和导电基底(1)的外围,将所有组件围在封装层(6)的内部,形成Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机。

2.根据权利要求1所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的氧化锌籽晶层(2)是通过磁控溅射的方法生长在导电基底(1)上。

3.根据权利要求1或2所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的氧化锌纳米线阵列(3)为具有压电特性的N型半导体氧化锌一维材料,通过水热法生长在氧化锌籽晶层(2)上。

4.根据权利要求1或2所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的Spiro-MeOTAD有机涂覆层(4)为P型空穴传输层,材质为2,2’,7,7’-四(N,N-二对甲苯氨基)-9,9’-螺环二芴,是有机小分子聚合物;所述Spiro-MeOTAD涂覆层(4)通过旋涂法覆盖于氧化锌纳米线阵列(3)之上,并在Spiro-MeOTAD/ZnO表面形成一个PN结耗尽层,具有单向导通的整流特性。

5.根据权利要求3所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的Spiro-MeOTAD有机涂覆层(4)为P型空穴传输层,材质为2,2’,7,7’-四(N,N-二对甲苯氨基)-9,9’-螺环二芴,是有机小分子聚合物;所述Spiro-MeOTAD涂覆层(4)通过旋涂法覆盖于氧化锌纳米线阵列(3)之上,并在Spiro-MeOTAD/ZnO表面形成一个PN结耗尽层,具有单向导通的整流特性。

6.根据权利要求1、2或5所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的上电极(5)和导电基底(1)为ITO基底或FTO基底;所述的封装层(6)的材料为PDMS或PMMA。

7.根据权利要求3所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的上电极(5)和导电基底(1)为ITO基底或FTO基底;所述的封装层(6)的材料为PDMS或PMMA。

8.根据权利要求4所述的Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机,其特征在于,所述的上电极(5)和导电基底(1)为ITO基底或FTO基底;所述的封装层(6)的材料为PDMS或PMMA。

9.一种Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机的制备方法,其特征在于,步骤如下:

a、通过射频磁控溅射的方法将氧化锌籽晶层(2)生长在预先清洗好的导电基底1上;

b、通过水热法将氧化锌纳米线阵列(3)生长在氧化锌籽晶层(2)上;

c、通过旋涂法将Spiro-MeOTAD涂覆层(4)涂覆在氧化锌纳米线阵列(3)的外层;

d、将上电极(5)置于氧化锌纳米线阵列(3)的顶端;在上电极(5)和导电基底(1)上分别安装引线a(7-1)和引线b(7-1);最后将所有部件封装在封装层(6)内;

所述的步骤a具体为:将预先准备好的导电基底(1)依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗5-20min,清洗过后通过射频磁控溅射的方法在导电基底(1)的表面生长氧化锌籽晶层(2),生长条件为:射频功率100-160W、空腔压强(1)×10-3-1×10-4Pa、氩气浓度0.5-5Pa、溅射时间5-20分钟;

所述的步骤b具体为:配置30-50mmol/L的乙酸锌和六次甲基四胺的混合生长溶液,乙酸锌和六次甲基四胺的摩尔比为1:1;然后将涂覆有氧化锌籽晶层(2)的导电基底(1)和混合生长溶液置入密闭的反应釜中,在恒温恒压的条件下以90-100℃生长2-5小时,生长结束后将样品用去离子水反复冲洗,得到生长有氧化锌纳米线阵列(3)的导电基底(1);

所述的步骤c具体为:

(1)Spiro-MeOTAD溶液的配制:将每20-400mg的Spiro-MeOTAD溶于1ml的氯苯中,并添加tBP和浓度为300-800mg/mL锂盐的乙腈,得到Spiro-MeOTAD溶液;其中,tBP、锂盐的乙腈与氯苯的体积比为1-5:1-5:100;

(2)Spiro-MeOTAD溶液的旋涂:将配制好的Spiro-MeOTAD溶液取10-50微升/平方厘米滴到氧化锌纳米线阵列(3)上,之后以500-4000转每分钟的速度旋涂10-60秒;

所述的步骤d具体为:将上电极(5)置于氧化锌纳米线阵列3的顶端,再用银浆在上电极(5)和导电基底(1)的边缘连接引线a(7-1)和引线b(7-1),将装置在90-120℃条件下烘烤20-60分钟使银浆固化,最后将整个装置外周涂覆胶状环氧树脂进行封装,环氧树脂固化后,即完成压电器件的制备过程。

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