[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(10)；在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)；在所述衬底基板(10)及栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上于栅极(20)上方形成氧化物半导体图案(40)；

在栅极绝缘层(30)及氧化物半导体图案(40)上形成金属材料层(50)，对所述金属材料层(50)进行刻蚀，形成分别与氧化物半导体图案(40)两端连接的源极(51)及漏极(52)；

提供络合反应溶液，利用络合反应溶液对氧化物半导体图案(40)表面进行处理，使络合反应溶液与因刻蚀金属材料层(50)而在氧化物半导体图案(40)表面产生的金属离子发生络合反应。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述络合反应溶液为氢氰酸溶液。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在利用氢氰酸溶液对氧化物半导体图案(40)的表面进行处理后，于氧化物半导体图案(40)的表面形成一层保护层(60)，所述保护层(60)的材料为包含因刻蚀金属材料层(50)而产生的金属离子的氰化物；

所述保护层(60)的厚度小于电子跃迁半径。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属材料层(50)的材料为铜；

所述保护层(60)的材料为包含铜离子的氰化物。

5.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述氢氰酸溶液的浓度为ppm级。

6.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，利用氢氰酸溶液对氧化物半导体图案(40)的表面进行处理具体为：将氧化物半导体图案(40)的表面在氢氰酸溶液中浸泡预定时间。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预定时间为10min-15min。

8.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在利用氢氰酸溶液对氧化物半导体图案(40)的表面进行处理后，还利用风刀对氧化物半导体图案(40)的表面进行吹干处理。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体图案(40)的材料为铟镓锌氧化物。

10.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(10)的材料为玻璃；

在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)具体为：采用物理气相沉积在所述衬底基板(10)上形成一层金属层，对所述金属层进行黄光制程，形成栅极(20)；

采用化学气相沉积在衬底基板(10)及栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)；

在所述栅极绝缘层(30)上于栅极(20)上方形成氧化物半导体图案(40)具体为：采用物理气相沉积在所述栅极绝缘层(30)上形成一层氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行黄光制程，形成位于栅极(20)上方的氧化物半导体图案(40)；

采用物理气相沉积在栅极绝缘层(30)及氧化物半导体图案(40)上形成金属材料层(50)；对所述金属材料层(50)进行湿刻蚀，形成分别与氧化物半导体图案(40)两端连接的源极(51)及漏极(52)。