[发明专利]硅微细线聚合物复合体和透明太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201810437900.0 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN109216562B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 崔炅镇;姜声凡;郑明勋 | 申请（专利权）人： | 蔚山科学技术院 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;郑毅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微细 聚合物 复合体 透明 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅微细线聚合物复合体的制备方法，包括以下步骤：
在硅基板上利用掩膜图案形成金属点阵列层；
蚀刻所述硅基板，形成含有所述金属点阵列层的硅微细线阵列；
以透明聚合物将所述硅微细线阵列涂层，从而形成内载有硅微细线阵列的透明聚合物膜；以及
将所述透明聚合物膜与所述硅基板分离。
2.根据权利要求1所述的硅微细线聚合物复合体的制备方法，其中所述金属点阵列层包括一层以上的金属点层和金属点掩膜层，且
所述一层以上的金属点层与所述金属点掩膜层的厚度比为1:10至1:100。
3.根据权利要求1所述的硅微细线聚合物复合体的制备方法，其中在形成所述硅微细线阵列的步骤之后，进一步包括以下步骤：在所述硅微细线的至少一部分中形成n型半导体层。
4.根据权利要求1所述的硅微细线聚合物复合体的制备方法，其中在形成所述硅微细线阵列的步骤之后，进一步包括以下步骤：除去金属点掩膜层。
5.一种透明太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
在硅基板上利用掩膜图案形成金属点阵列层；
蚀刻所述硅基板，形成含有所述金属点阵列层的硅微细线阵列；
以透明聚合物将所述硅微细线阵列涂层，从而形成内载有硅微细线阵列的透明聚合物膜；
将所述透明聚合物膜与所述硅基板分离；以及
在所述透明聚合物膜的上端或下端的一个中形成透明电极层或导电性高分子层。
6.根据权利要求5所述的透明太阳能电池的制备方法，其中形成所述透明电极层或导电性高分子的步骤是利用蒸镀、涂层、或者蒸镀及涂层两者。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
