[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

第一晶体管，形成于上述基板，且具有第一导电型的第一杂质区域以及上述第一导电型的第二杂质区域；

第二晶体管，形成于上述基板，且具有与上述第二杂质区域电连接的上述第一导电型的第三杂质区域以及上述第一导电型的第四杂质区域；

电源端子，与上述第一杂质区域电连接；

接地端子，与上述第四杂质区域电连接；

第一保护环，形成于上述基板且在俯视时包围上述第一晶体管并与上述接地端子电连接，具有与上述第一导电型不同的第二导电型；以及

第二保护环，形成于上述基板且在俯视时包围上述第二晶体管并与上述接地端子电连接，具有上述第二导电型，在俯视时宽度比上述第一保护环窄，

第一保护环和第二保护环具有俯视时分别在第一方向上延伸的部分，该部分以在与上述第一方向正交的第二方向上相对的方式沿着所述第一方向相互相邻，

上述第一保护环和第二保护环的宽度是该部分的沿着上述第二方向的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有：

第一导通孔，设置在上述第一保护环上，形成将上述第一保护环与上述接地端子电连接的路径的一部分；以及

第二导通孔，设置在上述第二保护环上，形成将上述第二保护环与上述接地端子电连接的路径的一部分，

在沿着上述第一保护环的上述第二方向上设置的上述第一导通孔的个数比在沿着上述第二保护环的上述第二方向上设置的上述第二导通孔的个数多。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第一布线，该第一布线设置在上述第一保护环上以及上述第二保护环上，形成将上述第一保护环以及上述第二保护环与上述接地端子电连接的路径的一部分，

位于上述第一保护环上的上述第一布线的第一部分的宽度比位于上述第二保护环上的上述第一布线的第二部分的宽度宽。

4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一杂质区域配置于比上述第二杂质区域接近上述第一保护环的位置。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

与上述电源端子电连接的电源布线在俯视时与上述第一晶体管重叠而配置，

与上述接地端子电连接的接地布线在俯视时与上述第二晶体管重叠而配置。

6.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

与上述电源端子电连接的电源布线在俯视时与上述第一晶体管重叠而配置，

与上述接地端子电连接的接地布线在俯视时与上述第二晶体管以及上述第一晶体管重叠而配置，

上述第一晶体管上的上述电源布线与上述第一晶体管上的上述接地布线在俯视时交替而配置。

7.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一晶体管以及上述第二晶体管是FinFET。

8.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一晶体管以及上述第二晶体管是纳米线FET。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一保护环以及上述第二保护环具有板状的结构，不具有纳米线结构。