[发明专利]一种周向非对称缺陷的涡流检测磁场的半解析计算方法有效
申请号: | 201810436683.3 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN108629127B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 于亚婷;高宽厚;李翰超;刘博文;成家乐 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F30/33 | 分类号: | G06F30/33 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对称 缺陷 涡流 检测 磁场 解析 计算方法 | ||
1.一种周向非对称缺陷的涡流检测磁场的半解析计算方法,其特征在于,包括:
首先,将周向非对称缺陷在不同的周向角度沿竖直方向划分,得到若干竖直方向的求解区域边界面,每一竖直方向求解区域边界面到缺陷中心的距离作为该竖直方向求解区域的缺陷半径,将各竖直方向求解区域沿水平方向划分为五个水平方向求解区域;
然后,采用圆柱形缺陷模型计算方法对每个竖直方向求解区域划分出的五个水平方向求解区域进行求解,得到每个竖直方向求解区域各自对应的磁矢量势;根据每个竖直方向求解区域的磁矢量势计算各自对应的磁场信号;
最后,将各个竖直方向求解区域对应的磁场信号组成一组磁场信号序列,根据这组磁场信号序列得到表示周向非对称模型的磁场信号的经验公式;
所述五个水平方向求解区域具体为:1区为圆柱线圈上表面以上的区域,2区为试件上表面和圆柱线圈下表面之间的区域,3区为缺陷下表面和试件上表面之间的区域,4区为缺陷下表面和试件下表面之间的区域,5区为试件下表面以下的区域;
所述经验公式为:
其中,n表示竖直方向求解区域的数量;B1,B2,B3,...Bn分别表示n个竖直方向求解区域各自对应的磁场信号,B表示磁场信号列向量;ξ1,ξ2,ξ3...ξn分别表示B1,B2,B3,...Bn各自对应的系数,ξ表示系数行向量。
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