[发明专利]一种防腐蚀热电偶有效
| 申请号： | 201810434420.9 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108981941B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吕崇新 | 申请（专利权）人： | 唐山市开平区天诺热电偶厂 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;G01K1/10 |
| 代理公司： | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 张大保 |
| 地址： | 063021 河北省唐山市开平区越河镇高新技*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 热电偶 | ||
1.一种防腐蚀钨铼热电偶，所述防腐蚀钨铼热电偶是由如下方法制备的：提供钨铼热电偶合金基体；在钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层；在金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层；在氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层；在金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层；在硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层，金属Al层的厚度为15nm，第一磁控溅射方法具体为：采用直流磁控溅射，溅射温度为250℃，溅射电流为0.8A，溅射功率为110W，氩气流量为80sccm，氧化铝层的厚度为40nm，第二磁控溅射方法具体为：采用射频溅射方法，溅射靶材为氧化铝靶材，溅射温度为450℃，溅射功率为330W，氩气流量为80sccm，金属Zr层的厚度为15nm，第三磁控溅射方法具体为：采用直流磁控溅射，溅射温度为330℃，溅射电流为1.3A，溅射功率为180W，氩气流量为80sccm，硼化锆层的厚度为70nm，第四磁控溅射方法具体为：采用射频溅射方法，溅射靶材为硼化锆靶材，溅射温度为450℃，溅射功率为550W，氩气流量为80sccm，TiAlSiN层厚度为110nm，第五磁控溅射方法采用单靶共溅射方法，单靶共溅射方法具体为：提供Ti靶、Al靶以及Si靶；将Ti靶和Al靶与直流电源相连，Si靶与射频电源相连；其中，Ti靶溅射电流为0.8A，溅射功率为230W，Al靶溅射电流为0.8A，溅射功率为230W，Si靶溅射功率为180W；其中，单靶共溅射过程中溅射温度为350℃，氮气流量为110sccm，氩气流量为40sccm。
2.一种防腐蚀钨铼热电偶的制备方法，其特征在于：所述防腐蚀钨铼热电偶的制备方法包括如下步骤：提供钨铼热电偶合金基体；在钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层；在金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层；在氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层；在金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层；在硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层，金属Al层的厚度为15nm，第一磁控溅射方法具体为：采用直流磁控溅射，溅射温度为250℃，溅射电流为0.8A，溅射功率为110W，氩气流量为80sccm，氧化铝层的厚度为40nm，第二磁控溅射方法具体为：采用射频溅射方法，溅射靶材为氧化铝靶材，溅射温度为450℃，溅射功率为330W，氩气流量为80sccm，金属Zr层的厚度为15nm，第三磁控溅射方法具体为：采用直流磁控溅射，溅射温度为330℃，溅射电流为1.3A，溅射功率为180W，氩气流量为80sccm，硼化锆层的厚度为70nm，第四磁控溅射方法具体为：采用射频溅射方法，溅射靶材为硼化锆靶材，溅射温度为450℃，溅射功率为550W，氩气流量为80sccm，TiAlSiN层厚度为110nm，第五磁控溅射方法采用单靶共溅射方法，单靶共溅射方法具体为：提供Ti靶、Al靶以及Si靶；将Ti靶和Al靶与直流电源相连，Si靶与射频电源相连；其中，Ti靶溅射电流为0.8A，溅射功率为230W，Al靶溅射电流为0.8A，溅射功率为230W，Si靶溅射功率为180W；其中，单靶共溅射过程中溅射温度为350℃，氮气流量为110sccm，氩气流量为40sccm。
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