[发明专利]具有焊盘结构的图像传感器

权利要求书

1.一种形成半导体图像传感器件的方法，所述方法包括：

在半导体层中形成多个光电探测器，其中，所述多个光电探测器配置为检测穿过所述半导体层的第一表面进入到所述半导体层中的光；

蚀刻所述半导体层以在所述半导体层的第二表面中形成第一开口，其中，所述第二表面与所述第一表面相对；

在所述第一开口中形成包括金属填充物的焊盘结构；

在所述半导体层的所述第二表面上设置互连结构；

沉积隔离材料以在所述半导体层中形成多个深沟槽隔离结构，其中，所述焊盘结构和所述光电探测器由相同的所述隔离材料覆盖，并且对所述相同的所述隔离材料实施平坦化工艺之后，在所述隔离材料上形成金属栅格结构；以及

蚀刻所述半导体层和所述隔离材料以在所述半导体层中形成第二开口以暴露所述焊盘结构的至少部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口的深度在所述半导体层的厚度的80％和95％之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述焊盘结构包括在形成所述金属填充物之前形成覆盖层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述焊盘结构包括在形成所述金属填充物之前形成衬垫层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述互连结构包括与所述金属填充物对准并且与所述金属填充物物理接触的导线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在多个光电探测器的相邻光电探测器之间形成所述多个深沟槽隔离结构中的至少一个深沟槽隔离结构。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，蚀刻所述半导体层以形成所述第二开口包括图案化并蚀刻所述隔离材料。

8.根据权利要求4所述的方法，所述衬垫层的厚度在10nm和300nm之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在设置所述互连结构之前形成所述第一开口。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述互连结构包括将载体晶圆接合至所述半导体层。

11.一种形成半导体图像传感器件的方法，所述方法包括：

在半导体层中形成多个光电探测器；

蚀刻所述半导体层以在所述半导体层的第一表面中形成与所述多个光电探测器中的至少一个光电探测器相邻的第一开口；

在所述第一开口中形成包括衬垫层和金属填充物的焊盘结构；

在所述半导体层的与所述第一表面相对的第二表面上沉积隔离材料以在所述半导体层中形成多个隔离结构，其中，所述焊盘结构和所述光电探测器由相同的所述隔离材料覆盖；

对所述相同的所述隔离材料实施平坦化工艺之后，在所述多个隔离结构上形成金属栅格结构；以及

蚀刻所述半导体层和所述隔离材料以在所述半导体层中形成第二开口以暴露所述焊盘结构的至少部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述半导体层还包括与所述表面相对的另一表面，其中，所述多个光电探测器配置为检测穿过所述半导体层的所述另一表面进入到所述半导体层中的光。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述多个隔离结构包括：

在所述半导体层上沉积隔离材料；以及

平坦化所述隔离材料。

14.据权利要求13所述的方法，其中，蚀刻所述半导体层以形成所述第二开口还包括图案化并蚀刻所述隔离材料。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述焊盘结构还包括在形成所述金属填充物之前在所述第一开口中沉积覆盖材料。