[发明专利]刻蚀装置以及图形的转移方法

权利要求书

1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：

原子力显微镜，所述原子力显微镜包括导电探针；以及，

导电探针电子束电场产生模块，包括电流控制单元，所述电流控制单元的电信号输出端用于产生使得所述导电探针尖端发射场发射电子束的电信号；

所述导电探针电子束电场产生模块还包括电流检测单元；

所述电流检测单元的电流信号输入端与所述导电探针电连接，用于实时检测导电探针尖端发射场发射电子束形成的电流；

所述电流控制单元的电流信号检测端与所述电流检测单元的电流信号输出端电连接，用于将所述导电探针尖端发射场发射电子束形成的电流发送给所述电流控制单元；

所述导电探针电子束电场产生模块还包括样品台和样品台驱动单元，所述样品台驱动单元包括压电陶瓷管；

所述电流控制单元的控制信号输出端与所述样品台驱动单元的控制信号输入端电连接，用于向所述样品台驱动单元发送控制信号，所述样品台驱动单元的驱动端与所述样品台机械连接，所述样品台驱动单元用于根据所述控制信号调整所述样品台与所述导电探针之间的距离；

有机待刻蚀样品的厚度范围为大于或等于8纳米，且小于或等于12纳米；

所述导电探针距离所述有机待刻蚀样品的垂直距离范围为大于或等于8纳米，且小于或等于12纳米。

2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，

所述导电探针电子束电场产生模块还包括电压放大器，所述电压放大器的输入端与所述电流控制单元的电信号输出端电连接，所述电压放大器用于放大所述电流控制单元的电信号输出端输出的使得所述导电探针尖端发射场发射电子束的电信号。

3.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，

所述原子力显微镜还包括控制单元，所述原子力显微镜的控制单元的控制信号输出端与所述电流控制单元的控制信号输入端电连接。

4.一种图形的转移方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀样品；

在所述待刻蚀样品的第一表面形成有机层，所述有机层均匀分布在所述待刻蚀样品的第一表面上；

去除所述待刻蚀样品与所述第一表面相对的第二表面上的部分自氧化层；

利用权利要求1-3任一所述的刻蚀装置对所述有机层进行刻蚀，在所述有机层上形成预设图形，所述电流控制单元的电信号输出端与所述待刻蚀样品第二表面去除部分自氧化层的部分电连接；

以所述有机层作为掩蔽层，对所述待刻蚀样品进行等离子体刻蚀，将所述预设图形转移到所述待刻蚀样品的第一表面上。

5.根据权利要求4所述的图形的转移方法，其特征在于，

所述在所述待刻蚀样品的第一表面形成有机层，所述有机层均匀分布在所述待刻蚀样品的第一表面上具体包括：

配置有机溶液，所述有机溶液的溶剂包括氯苯，所述有机溶液的溶质包括质量分数大于或等于0.2%，且小于或等于0.7%的有机分子4-甲基-1-乙酰氧基杯[6]芳烃；

对所述有机溶液在第一预设温度下加热第一预设时间，将所述有机溶液均匀旋涂在所述待刻蚀样品的第一表面，以形成有机膜层；

对所述有机膜层在第二预设温度下加热第二预设时间，以形成有机层；

所述有机层的厚度范围为大于或等于8纳米，且小于或等于12纳米。

6.根据权利要求4所述的图形的转移方法，其特征在于，

所述对所述待刻蚀样品进行等离子体刻蚀时，所述等离子体 刻蚀的温度的范围为大于或等于零下120摄氏度，且小于或等于零下100摄氏度；

所述等离子体 刻蚀气体包括六氟化硫和氧气；

所述气体流速的范围为大于或等于25标准毫升/分钟，且小于或等于35标准毫升/分钟。

7.根据权利要求4所述的图形的转移方法，其特征在于，

所述利用权利要求1-3任一所述的刻蚀装置对所述有机层进行刻蚀，在所述有机层上形成预设图形具体包括：

利用所述原子力显微镜获取所述有机层的表面形貌，并选取平整区域作为待刻蚀区域；

所述原子力显微镜的导电探针尖端发射场发射电子束，对所述有机层的待刻蚀区域进行刻蚀，以在所述有机层上形成预设图形。

8.根据权利要求7所述的图形的转移方法，其特征在于，

与所述待刻蚀样品第二表面去除部分自氧化层的部分电连接的电压范围为大于或等于30伏特，且小于或等于50伏特；

所述导电探针距离所述有机层的垂直距离范围为大于或等于8纳米，且小于或等于12纳米。