[发明专利]显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201810428359.7 | 申请日: | 2018-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN108899339B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
| 发明(设计)人: | 沈阳;芦兴 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区,所述显示区包括发光区和非发光区,所述显示面板包括:
阵列层,包括多条位于所述非发光区的金属线和位于所述非发光区的电容,其中,所述金属线包括第一金属线;
多个发光器件,位于所述阵列层之上,所述发光器件包括依次排列的阳极、发光层和阴极,其中,一个所述发光区包括至少一个所述发光器件;
所述第一金属线包括位于不同膜层的第一线段和跨桥线段,其中,所述第一线段和所述跨桥线段通过过孔相连接,至少部分所述跨桥线段与所述电容的极板绝缘交叠设置;
所述第一线段沿第一方向延伸,所述跨桥线段包括沿所述第一方向延伸的短线和沿第二方向延伸的连接线,其中,所述连接线电连接所述第一线段和所述短线,所述第二方向与所述第一方向交叉;
所述短线所在膜层位于所述电容的两个极板之间,
沿垂直于所述第一方向上,所述短线的宽度小于等于所述电容的极板的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一金属线为数据线、扫描线、电源线或者发光控制信号线中任一种。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示区包括指纹识别区,所述指纹识别区包括多个光感器件,所述光感器件位于所述阵列层远离所述发光器件一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
在垂直于所述第一方向上,所述短线包括相对设置的第一边和第二边,其中,所述第一边和所述第二边均与所述电容的极板绝缘交叠。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述阵列层包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层;
所述第一金属线为所述发光控制信号线,所述发光控制信号线的所述第一线段、所述扫描线和所述电容的第一极板位于所述第一金属层,所述发光控制信号线的所述跨桥线段位于所述第二金属层,所述电容的第二极板位于所述第三金属层,所述数据线位于所述第四金属层。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
在所述阵列层,所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层依次设置。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述电源线包括正极电源线,所述正极电源线包括第一正极电源线和第二正极电源线,所述第一正极电源线和所述第二正极电源线电连接;其中,所述第一正极电源线位于所述第四金属层,所述第二正极电源线位于所述第二金属层;和/或,
所述电源线包括负极电源线,所述负极电源线包括第一负极电源线和第二负极电源线,所述第一负极电源线和所述第二负极电源线电连接;其中,所述第一负极电源线位于所述第四金属层,所述第二负极电源线位于所述第二金属层。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述第一正极电源线位于所述第四金属层,所述第二正极电源线位于所述第二金属层,且所述第二正极电源线与所述发光控制信号线的所述跨桥线段绝缘设置;
沿所述正极电源线延伸的方向上,一条所述第一正极电源线与一条所述第二正极电源线电连接,所述正极电源线与所述发光控制信号线的所述第一线段绝缘交叉;或者,
一条所述第一正极电源线与多条所述第二正极电源线电连接,所述第一正极电源线与所述发光控制信号线的所述跨桥线段绝缘交叉,所述发光控制信号线的所述跨桥线段在沿所述正极电源线延伸的方向上相邻的两条所述第二正极电源线之间穿过。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
在所述指纹识别区,所述显示面板还包括指纹识别的光源,所述指纹识别的光源位于所述光感器件远离所述阵列层一侧。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
在指纹识别阶段,在所述指纹识别区内的所述发光器件复用为指纹识别的光源。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至10任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





