[发明专利]锂离子电池、表面修饰改性三元材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810427930.3 申请日: 2018-05-07
公开(公告)号: CN108767212B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 陈巍;张耀;李鲲 申请(专利权)人: 欣旺达电子股份有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) 44343 代理人: 王杰辉
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 锂离子电池 表面 修饰 改性 三元 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,包括:

将经过预设工艺条件预处理后的三元正极材料放置于充满指定气氛的原子层沉积反应室中;触发升温程序,使所述反应室的温度处于指定温度范围内;将所述反应室抽真空后,在载气作用下向所述反应室内通入有机硼源,经过第一反应时间后,继续通入所述载气以清除掉过量的有机硼源,得到表面修饰改性三元正极材料第一前驱体;

在所述载气作用下将气态氧化剂通入所述反应室中,控制气态氧化剂与所述表面修饰改性三元正极材料第一前驱体反应的第二反应时间后,继续通入所述载气以清除掉过量的气态氧化剂以及反应副产物,得到包覆第一指定量硼氧化物的第一表面修饰改性三元正极材料;

在所述载气作用下将有机锂盐通入所述反应室中,控制指定锂盐与所述第一表面修饰改性三元正极材料表面的硼氧化物反应的第三反应时间后,继续通入所述载气以清除掉过量的有机锂盐,形成表面修饰改性三元正极材料第二前驱体;

在所述载气作用下将气态氧化剂通入所述反应室中,控制气态氧化剂与所述表面修饰改性三元正极材料第二前驱体反应的第四反应时间后,继续通入所述载气以清除掉过量的气态氧化剂以及反应副产物,得到包覆第二指定量锂硼氧化物的第二表面修饰改性三元正极材料。

2.根据权利要求1所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述有机硼源包括三甲基硼烷、三乙基硼烷、乙硼烷中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述气态氧化剂包括氧气和/或H2O。

4.根据权利要求1所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述载气包括氮气和/或氩气。

5.根据权利要求1所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述有机锂盐包括烷基锂。

6.根据权利要求5所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述烷基锂包括甲基锂、丙基锂、丁基锂、乙基锂、苯基锂中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法,其特征在于,所述预设工艺条件包括100℃至150℃温度范围内干燥6h至12h;所述指定温度范围包括100℃至200℃;所述第一反应时间包括0.1s至6s;所述第二反应时间包括0.05s至20s;所述第三反应时间包括0.1s至6s。

8.一种表面修饰改性三元正极材料,其特征在于,通过权利要求1至7中任一项所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法制备得到;包括三元材料基体以及包覆于三元材料基体表面的纳米级厚度范围的硼化物包覆层;所述纳米级厚度范围包括0.5nm至2nm。

9.一种锂离子电池,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的表面修饰改性三元正极材料的制备方法制备得到表面修饰改性三元正极材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣旺达电子股份有限公司,未经欣旺达电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810427930.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top