[发明专利]显示基板的制备方法、显示基板及显示装置有效
申请号: | 201810426410.0 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN108461393B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张帅;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/77;H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,所述显示基板具有非显示区,其特征在于,所述显示基板的制备方法包括:
在基底上形成第一绝缘层,并通过构图工艺在所述第一绝缘层与所述非显示区对应的位置形成包括至少一个凹陷部的图形;
通过构图工艺在非显示区形成包括第一信号线的图形,其中,所述第一信号线至少部分覆盖所述凹陷部;
形成第二绝缘层,并通过构图工艺在所述第二绝缘层对应所述第一信号线的至少部分区域形成过孔;
通过构图工艺形成包括第二信号线的图形,所述第二信号线通过所述过孔与所述第一信号线连接;
所述第一绝缘层包括凸出部和凹陷部;
所述第一信号线包括下沉部和上升部,所述下沉部对应所述第一绝缘层的凹陷部,所述上升部对应所述第一绝缘层的凸出部;
所述第二绝缘层的过孔对应所述第一信号线的上升部。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
所述第一绝缘层的材料包括有机绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在形成第一绝缘层,并通过构图工艺在所述第一绝缘层与所述非显示区对应的位置形成包括至少一个凹陷部的图形的步骤之前,还包括:
去除所述基底上的、与非显示区位置对应的层间绝缘层,以形成凹槽区;其中,所形成的第一绝缘层填充所述凹槽区。
4.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在基底上形成第一绝缘层,并通过构图工艺在所述第一绝缘层与非显示区对应的位置形成包括至少一个凹陷部的图形的步骤包括:
在基底上形成第一绝缘材料层;
利用不同透光率的掩膜板对所述第一绝缘材料层进行曝光,在所述第一绝缘层与所述非显示区对应的位置形成包括至少一个凹陷部的图形,并去除与显示区位置对应的第一绝缘层材料。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述通过构图工艺在非显示区形成包括第一信号线的图形的步骤包括:
通过低温沉积工艺形成金属膜层;
通过刻蚀工艺对所述金属膜层进行刻蚀,在非显示区形成包括第一信号线的图形。
6.一种显示基板,其具有非显示区,其特征在于,所述显示基板包括:
基底;
位于基底上的第一绝缘层,其与非显示区对应的位置具有至少一个凹陷部;
位于所述第一绝缘层背离所述基底一侧的第一信号线,所述第一信号线位于非显示区,且其至少部分覆盖所述凹陷部;
位于所述第一信号线背离所述基底一侧的第二绝缘层,其对应所述第一信号线的至少部分区域具有过孔;
位于所述第二绝缘层背离所述基底一侧的第二信号线,其通过所述过孔与第一信号线连接;
所述第一绝缘层包括凸出部和凹陷部;
所述第一信号线包括下沉部和上升部,所述下沉部对应所述第一绝缘层的凹陷部,所述上升部对应所述第一绝缘层的凸出部;
所述第二绝缘层的过孔对应所述第一信号线的上升部。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6所述的显示基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810426410.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造