[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有第一介质层；

刻蚀所述第一介质层，以在所述第一介质层内形成网格状的格栅沟槽；

在所述格栅沟槽内填充格栅材料，以形成网格状的格栅；

在所述第一介质层的表面形成衬垫，所述衬垫的一部分覆盖所述格栅的一部分，以使所述衬垫与所述格栅电连接；

所述图像传感器的形成方法还包括：

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述衬垫、第一介质层以及格栅；刻蚀所述第二介质层以及所述第一介质层，以在所述衬垫上方的第二介质层内形成衬垫开口，以及在所述格栅之间的第一介质层和第二介质层内形成滤镜开口，所述衬垫开口的底部暴露所述衬垫。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述滤镜开口的宽度小于相邻的格栅之间的距离。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层的表面形成衬垫包括：

形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述第一介质层；

刻蚀所述衬垫层，以在所述第一介质层的表面形成所述衬垫。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第一介质层之前，还包括：

刻蚀所述第一介质层和半导体衬底以形成穿通孔，所述穿通孔贯穿所述半导体衬底以及所述第一介质层。

5.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一介质层，位于所述半导体衬底的表面；

网格状的格栅沟槽，位于所述第一介质层内；

网格状的格栅，位于所述格栅沟槽内；

衬垫，位于所述第一介质层的表面，所述衬垫的一部分覆盖所述格栅的一部分，以使所述衬垫与所述格栅电连接；

所述图像传感器还包括：

第二介质层，覆盖所述衬垫、第一介质层以及格栅；

衬垫开口，位于所述衬垫上方的第二介质层内；

滤镜开口，位于所述格栅之间的第一介质层和第二介质层内，且所述衬垫开口的底部暴露所述衬垫。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述滤镜开口的宽度小于相邻的格栅之间的宽度。

7.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述滤镜开口的底面与所述格栅沟槽的底面齐平。

8.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

穿通孔，所述穿通孔贯穿所述半导体衬底以及所述第一介质层。